0去购物车结算
购物车中还没有商品,赶紧选购吧!
当前位置: 图书分类 > 工程技术 > 机械工程 > 硅微机械加工技术

浏览历史

硅微机械加工技术


联系编辑
 
标题:
 
内容:
 
联系方式:
 
  
硅微机械加工技术
  • 书号:7030047842
    作者:
  • 外文书名:
  • 丛书名:
  • 装帧:
    开本:
  • 页数:0
    字数:240000
    语种:
  • 出版社:科学出版社
    出版时间:
  • 所属分类:TN3 半导体技术
  • 定价: ¥18.00元
    售价: ¥14.40元
  • 图书介质:

  • 购买数量: 件  缺货,请选择其他介质图书!
  • 商品总价:

相同系列
全选

内容介绍

用户评论

全部咨询

内容简介
本书系统地阐述硅微机械加工技术的基本原理和方法.全书共九章.第一章至第五章论述硅的湿法腐蚀原理和方法;第六章论述硅表面微机械加工技术;第七章介绍硅的干法刻蚀原理;第八章和第九章论述硅键合技术.书中附有大量图表资料,具有较高的参考价值.
本书可作为高等学校微电子专业及其相关专业的研究生、本科生的教学参考书,也可供从事传感器、执行器、电力电子、光电子、真空微电子学和半导体集成电路研究的科研人员阅读.
  • 暂时还没有任何用户评论
总计 0 个记录,共 1 页。 第一页 上一页 下一页 最末页

全部咨询(共0条问答)

  • 暂时还没有任何用户咨询内容
总计 0 个记录,共 1 页。 第一页 上一页 下一页 最末页
用户名: 匿名用户
E-mail:
咨询内容:

目录

  • 序言
    前言
    第一章 硅的各向同性腐蚀
    1.1 各向同性腐蚀原理
    1.2 影响各向同性腐蚀的因素
    1.2.1 温度的影响
    1.2.2 腐蚀液成分的影响
    1.2.3 成分配比对硅表面形貌及角、棱的影响
    1.3 各向同性自停止腐蚀
    参考文献
    第二章 阳极腐蚀
    2.1 阳极腐蚀原理
    2.2 影响阳极腐蚀的因素
    2.2.1 掺杂浓度的影响
    2.2.2 外部电压及HF浓度的影响
    2.3 采用阳极腐蚀的自停止腐蚀方法
    2.4 多孔硅
    2.4.1 多孔硅的制备
    2.4.2 多孔硅的特性
    2.4.3 多孔硅的形成机制
    2.5 多孔硅的应用
    2.5.1 绝缘体上硅材料
    2.5.2 隐埋导电层
    2.5.3 气、湿敏传感器
    2.5.4 场发射阴极
    2.5.5 发光器件
    参考文献
    第三章 各向异性腐蚀
    3.1 各向异性腐蚀原理
    3.1.1 KOH系统
    3.1.2 EPW系统
    3.2 腐蚀速率与掺杂浓度的关系
    3.2.1 腐蚀速率与掺杂浓度的关系
    3.2.2 重掺杂硅自停止腐蚀机制
    3.3 腐蚀速率与晶体取向的关系
    3.3.1 硅晶向和晶面的表示方法
    3.3.2 各向异性腐蚀的特点
    3.3.3 各向异性腐蚀的机制
    3.3.4 各向异性腐蚀剂腐蚀出微结构的特点
    3.4 各向异性自停止腐蚀的方法
    3.4.1 SiO2的腐蚀
    3.4.2 重掺杂自停止腐蚀技术
    3.4.3 (111)面自停止腐蚀技术
    3.5 各向异性腐蚀的应用
    3.5.1 传感器
    3.5.2 电力电子器件
    3.5.3 场发射阵列
    3.5.4 STM探头
    3.5.5 太阳能电池
    参考文献
    第四章 电钝化腐蚀
    4.1 电钝化腐蚀原理
    4.1.1 电钝化腐蚀的电流-电压特性
    4.1.2 电钝化腐蚀的机制
    4.1.3 电钝化腐蚀的相关因素
    4.1.4 光照对电钝化腐蚀的影响
    4.2 P-N结自停止腐蚀的方法
    4.2.1 P-N结自停止腐蚀的原理
    4.2.2 P-N结自停止腐蚀的四电极系统
    4.2.3 制备悬臂梁的方法
    4.3 制备P型硅膜的脉冲电压方法
    4.3.1 电钝化层的溶解特性
    4.3.2 P型硅膜的制备
    参考文献
    第五章 自停止腐蚀方法的比较
    5.1 异质自停止腐蚀方法
    5.1.1 注入损伤自停止腐蚀
    5.1.2 Si-SiO2结构自停止腐蚀
    5.1.3 Si1-xGex-Si异质结构自停止腐蚀
    5.2 自停止腐蚀方法的比较
    5.2.1 轻掺杂自停止腐蚀方法
    5.2.2 阳极自停止腐蚀方法
    5.2.3 重掺杂自停止腐蚀方法
    5.2.4 (111)面自停止腐蚀方法
    5.2.5 电钝化P-N结自停止腐蚀方法
    5.2.6 注入损伤自停止腐蚀方法
    5.2.7 Si-SiO2结构自停止腐蚀方法
    5.2.8 Si1-xGex-Si结构自停止腐蚀方法
    参考文献
    第六章 非晶薄膜的腐蚀与表面微机械加工
    6.1 非晶薄膜的腐蚀
    6.1.1 二氧化硅
    6.1.2 磷硅玻璃
    6.1.3 硼硅玻璃
    6.1.4 氮化硅
    6.1.5 多晶硅和半绝缘多晶硅
    6.2 表面微机械加工技术
    6.2.1 牺牲层制备微结构技术
    6.2.2 体硅表面的加工
    6.3 表面微机械加工技术的应用
    6.3.1 微传感器
    6.3.2 微执行器
    6.3.3 真空微电子器件
    参考文献
    第七章 干法腐蚀
    7.1 等离子体的产生
    7.1.1 自持放电
    7.1.2 直流放电
    7.1.3 交流放电
    7.2 等离子体腐蚀技术
    7.2.1 等离子体腐蚀的类别
    7.2.2 专用材料的腐蚀
    7.2.3 影响腐蚀的因素
    7.2.4 腐蚀剖面
    7.3 硅的直接激光加工
    7.4 LIGA技术
    参考文献
    第八章 静电键合技术
    8.1 玻璃的导电特性
    8.2 静电键合原理
    8.3 影响静电键合的因素
    8.3.1 键合引入的应力
    8.3.2 阳极形状对键合的影响
    8.3.3 键合体之间的静电引力
    8.3.4 非导电玻璃对静电力的影响
    8.3.5 导电玻璃对静电力的影响
    8.3.6 极化区中残余电荷的作用
    8.3.7 表面粗糙对键合力的影响
    8.3.8 弹性变形、塑性变形和粘滞流动对键合的影响
    8.4 静电键合技术的应用
    8.4.1 微传感器
    8.4.2 SOI材料的制备
    8.4.3 场发射阵列
    参考文献
    第九章 热键合技术
    9.1 硅直接键合过程
    9.1.1 硅直接键合工艺
    9.1.2 硅直接键合机制
    9.2 与硅直接键合工艺相关的因素
    9.2.1 表面处理的作用
    9.2.2 温度对键合的影响
    9.2.3 表面平整度对键合的影响
    9.3 硅直接键合界面的特性
    9.3.1 键合界面的杂质
    9.3.2 键合界面的晶格结构
    9.3.3 键合界面的电荷
    9.4 硅直接键合工艺的表征技术
    9.4.1 孔洞的检测
    9.4.2 界面电特性的测量
    9.4.3 键合引入的应力表征
    9.5 硅直接键合工艺的应用
    9.5.1 电力电子器件
    9.5.2 SOI材料的制备
    9.5.3 传感器与微结构
    9.5.4 真空微电子器件
    参考文献
帮助中心
公司简介
联系我们
常见问题
新手上路
发票制度
积分说明
购物指南
配送方式
配送时间及费用
配送查询说明
配送范围
快递查询
售后服务
退换货说明
退换货流程
投诉或建议
版权声明
经营资质
营业执照
出版社经营许可证