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体效应半导体器件


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体效应半导体器件
  • 书号：
    作者：
  • 外文书名：
  • 装帧：
    开本：
  • 页数：0
    字数：103000
    语种：
  • 出版社：科学出版社
    出版时间：
  • 所属分类：TN3 半导体技术
  • 定价： ￥0.45元
    售价： ￥0.36元
  • 图书介质:
    纸质书

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内容简介
砷化镓体效应半导体器件是一种新型的半导体器件．它是基于N型砷化镓等化合物半导体材料在高电场下呈现负微分迁移率而制成的．因它属于体内效应、与一般P-N结器件不同，所以称为“体效应半导体器件”．目前，国外正在大力进行研制．
本书对体效应半导体器件的基本原理、器件工艺、电路及应用等方面作了较为通俗和系统的介绍，可供从事微波无线电技术工作的工人、技术人员和大专院校有关专业的师生参考．
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目录

  • 第一章 概论
    1.1 体效应的发现
    1.2 耿效应的理论
    1.3 在振荡器方面的应用
    1.4 在放大器方面的应用
    1.5 在功能器件方面的应用
    1.6 体效应应用的分类
    1.7 体效应器件的现状
    第二章 负微分迁移率和电导
    2.1 负微分迁移率介质中的空间电荷
    2.2 负微分迁移率介质的直流电阻
    2.3 N型砷化镓的能带结构
    2.4 双谷结构的负微分迁移率
    2.5 电导的基本方程式
    2.6 N型砷化镓的速度电场特性
    2.7 直流电场分布
    第三章 高场畴
    3.1 空间电荷积累层畴
    3.2 偶极畴
    3.3 不等面积定理
    3.4 砷化镓的电流-电压特性
    3.5 稳态畴的性质
    3.6 非稳态畴的性质
    3.7 有关畴的实验
    第四章 小信号特性
    4.1 小信号理论的适用范围
    4.2 一维二端小信号阻抗
    4.3 小信号导纳的频率特性
    4.4 二维小信号理论
    4.5 用电介质抑制畴效应的理论
    4.6 厚度对电流振荡的影响
    4.7 介质表面负荷器件的特性
    第五章 振荡器
    5.1 振荡模式
    5.2 振荡频率范围
    5.3 渡越时间模式
    5.3.1 纯粹的渡越时间模式
    5.3.2 偶极畴猝灭模式
    5.3.3 延迟偶极畴模式
    5.3.4 空间电荷积累层模式
    5.3.5 空间电荷积累层猝灭模式
    5.4 限累模式
    5.4.1 限累模式的条件
    5.4.2 限累模式的转换效率
    5.4.3 限累模式的建立
    5.4.4 限累振荡的测量结果
    5.4.5 限累振荡的频率上限
    5.5 混合模式
    5.6 电介质表面负载振荡器
    5.7 弛张振荡模式
    5.8 器件串联和并联工作的振荡器
    5.8.1 串联工作振荡器
    5.8.2 并联工作振荡器
    5.9 电子调谐振荡器
    5.9.1 变容管调谐振荡器
    5.9.2 钇铁石榴石调谐振荡器
    第六章 放大器
    6.1 两端稳态放大器
    6.2 渡越畴放大器
    6.3 三端放大器
    6.4 行波放大器
    6.5 其他放大器
    第七章 逻辑功能器件
    7.1 开关特性
    7.1.1 开关时间
    7.1.2 偏置条件
    7.1.3 触发特性
    7.1.4 输出端数
    7.2 脉冲发生器和放大器
    7.3 逻辑器件
    7.3.1 “与”门和“或”门器件
    7.3.2 比较器
    7.3.3 神经器件
    7.4 功能器件
    7.4.1 波形发生器
    7.4.2 A-D变换器件
    7.4.3 变换器
    7.4.4 扫描器
    第八章 技术上的各种问题
    8.1 材料技术
    8.1.1 砷化镓的制备
    8.2 器件的制造技术
    8.3 可靠性
    8.4 温度特性和散热
    8.5 市售器件的特性
    参考资料
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