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半导体材料(第三版)


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半导体材料(第三版)
  • 书号:9787030365033
    作者:杨树人,王宗昌,王兢
  • 外文书名:
  • 丛书名:普通高等教育电子科学与技术类特色专业系列规划教材
  • 装帧:平装
    开本:16
  • 页数:240
    字数:396000
    语种:zh-Hans
  • 出版社:科学出版社
    出版时间:2013-02-01
  • 所属分类:TN3 半导体技术
  • 定价: ¥49.80元
    售价: ¥39.84元
  • 图书介质:
    纸质书

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本书是为大学本科与半导体相关的专业编写的教材,介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺,以及特性的控制等。全书共13章:第1章为硅和锗的化学制备;第2章为区熔提纯;第3章为晶体生长;第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷;第5章为硅外延生长;第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体;第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长;第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体;第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体;第10章为低维结构半导体材料;第11章为氧化物半导体材料;第12章为照明半导体材料;第13章为其他半导体材料。
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    第三版前言
    前言
    绪论
    第1章 硅和锗的化学制备 4
    1-1 硅和锗的物理化学性质 4
    1-2 高纯硅的制备 6
    1-3 锗的富集与提纯 13
    第2章 区熔提纯 16
    2-1 分凝现象与分凝系数 16
    2-2 区熔原理 20
    2-3 锗的区熔提纯 28
    第3章 晶体生长 30
    3-1 晶体生长理论基础 30
    3-2 熔体的晶体生长 46
    3-3 硅、锗单晶生长 52
    第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 59
    4-1 硅、锗晶体中杂质的性质 59
    4-2 硅、锗晶体的掺杂 62
    4-3 硅、锗单晶的位错 78
    4-4 硅单晶中的微缺陷 84
    第5章 硅外延生长 87
    5-1 外延生长概述 87
    5-2 硅衬底制备 89
    5-3 硅的气相外延生长 93
    5-4 硅外延层电阻率的控制 104
    5-5 硅外延层的缺陷 109
    5-6 硅的异质外延 113
    第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 118
    6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性 118
    6-2 砷化镓单晶的生长方法 124
    6-3 砷化镓单晶中杂质的控制 131
    6-4 砷化镓单晶的完整性 135
    6-5 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备 137
    第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长 141
    7-1 气相外延生长(VPE) 141
    7-2 金属有机物气相外延生长(MOVPE) 144
    7-3 液相外延生长(LPE) 152
    7-4 分子束外延生长(MBE) 158
    7-5 化学束外延生长(CBE) 162
    7-6 其他外延生长技术 164
    第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体 170
    8-1 异质结与晶格失配 171
    8-2 GaAlAs外延生长 172
    8-3 InGaN外延生长 176
    8-4 InGaAsP外延生长 177
    8-5 超晶格与量子阱 182
    8-6 应变超晶格 188
    8-7 能带工程 189
    第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 192
    9-1 Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备 192
    9-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象 198
    9-3 Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料 201
    9-4 Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料 205
    第10章 低维结构半导体材料 207
    10-1 低维结构半导体材料的基本特性 207
    10-2 低维结构半导体材料的制备 208
    10-3 低维结构半导体材料的现状及未来 212
    第11章 氧化物半导体材料 214
    11-1 氧化物半导体材料的制备 214
    11-2 氧化物半导体材料的电学性质 217
    11-3 氧化物半导体材料的应用 220
    第12章 照明半导体材料 225
    12-1 LED的基本结构 226
    12-2 外延生长GaN衬底材料的选择 226
    12-3 外延生长的发展趋势 228
    12-4 外延片结构改进 230
    第13章 其他半导体材料 233
    13-1 窄带隙半导体 233
    13-2 黄铜矿型半导体 235
    13-3 非晶态半导体材料 236
    13-4 有机半导体材料 237
    参考文献 240
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