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半导体器件　物理与工艺


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半导体器件　物理与工艺
  • 书号：7030026209
    作者：
  • 外文书名：
  • 装帧：
    开本：
  • 页数：0
    字数：489000
    语种：
  • 出版社：科学出版社
    出版时间：
  • 所属分类：TN3 半导体技术
  • 定价： ￥18.90元
    售价： ￥14.93元
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内容简介
本书介绍了半导体器件物理与制造工艺的最新进展，是半导体器件物理与工艺方面的入门教材．全书共十二章，可分为三个部分．第一、二章描述了半导体的基本性质及导电过程，重点介绍硅与砷化镓；第三章至第七章从构成大多数半导体器件的基本结构——p-n结开始，介绍了双极、单极、微波、光电器件的物理及特性；第八章至第十二章阐述了单晶生长、氧化、薄膜淀积、扩散、离子注入、光刻等器件制造(特别是集成电路制造)的主要工艺步骤的理论与实践。
本书可作为高等院校半导体、馓电子学、电子工程、应用物理专业师生的教学参考书，也可供相应领域从事实际工作的科研人员、工程技术人员参考。
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目录

  • 第一章 能带与载流子浓度
    1.1 半导体材料
    1.2 晶体结构
    1.3 价键
    1.4 能带
    1.5 态密度
    1.6 本征载流子浓度
    1.7 施主与受主
    习题
    参考文献
    第二章 载流子输运现象
    2.1 载流子漂移
    2.2 载流子扩散
    2.3 载流子注入
    2.4 产生与复合过程
    2.5 连续性方程
    2.6 强电场效应
    习题
    参考文献
    第三章 p-n结
    3.1 热平衡状态
    3.2 耗尽区
    3.3 耗尽层电容
    3.4 伏-安特性
    3.5 电荷存贮和瞬态特性
    3.6 结的击穿
    习题
    参考文献
    第四章 双极型器件
    4.1 晶体管的作用原理
    4.2 双极型晶体管的静态特性
    4.3 双极型晶体管的频率响应和开关特性
    4.4 异质结双极型晶体管
    4.5 可控硅器件
    习题
    参考文献
    第五章 单极型器件
    5.1 金属-半导体接触
    5.2 结型场效应晶体管
    5.3 金属-半导体场效应晶体管
    5.4 MOS二极管
    5.5 MOS场效应晶体管：基本特性
    5.6 MOS场效应晶体管：阈值电压和器件尺寸比例
    习题
    参考文献
    第六章 微波器件
    6.1 隧道二极管
    6.2 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
    6.3 势垒注入传输时间二极管
    6.4 转移电子器件
    6.5 各种微波器件的比较
    习题
    参考文献
    第七章 光电子器件
    7.1 辐射跃迁和光吸收
    7.2 发光二极管
    7.3 半导体激光器
    7.4 光电探测器
    7.5 太阳能电池
    习题
    参考文献
    第八章 晶体生长与外延
    8.1 从熔体中生长单晶
    8.2 悬浮区熔法
    8.3 硅片成形与材料特性表征
    8.4 气相外延
    8.5 液相外延
    8.6 分子束外延
    习题
    参考文献
    第九章 氧化与薄膜淀积
    9.1 热氧化
    9.2 介质淀积
    9.3 多晶硅淀积
    9.4 金属化
    习题
    参考文献
    第十章 扩散与离子注入
    10.1 基本扩散理论与实践
    10.2 非本征扩散
    10.3 与扩散有关的工艺
    10.4 注入离子的分布与射程
    10.5 无序与退火
    10.6 与离子注入有关的几个工艺
    习题
    参考文献
    第十一章 光刻——图形曝光与刻蚀
    11.1 光学图形曝光
    11.2 电子束、X线及离子束图形曝光
    11.3 湿法化学腐蚀
    11.4 干法腐蚀
    习题
    参考文献
    第十二章 集成器件
    12.1 无源元件
    12.2 双极工艺
    12.3 MOS场效应晶体管工艺
    12.4 MES场效应晶体管工艺
    12.5 集成器件的基本极限
    习题
    参考文献
    附录
    A．符号表
    B．国际单位制
    C．用于构成十进倍数和分数单位的词头
    D．希腊字母表
    E．物理常数
    F．300K时主要半导体材料的性质
    索引
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