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忆阻电路导论


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忆阻电路导论
  • 书号:9787030405470
    作者:包伯成
  • 外文书名:
  • 装帧:平装
    开本:B5
  • 页数:164
    字数:204
    语种:
  • 出版社:科学出版社
    出版时间:2014/6/9
  • 所属分类:
  • 定价: ¥68.00元
    售价: ¥68.00元
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本书主要介绍忆阻元件与忆阻电路、忆阻电路建模分析与仿真实验等内容,涉及忆阻元件概述、忆阻电路概述、忆阻电路时域分析、忆阻电路频域分析、忆阻电路动力学分析、忆阻电路降维建模、记忆元件与记忆系统和荷控忆阻等效分析。各章节内容具有一定的独立性,读者可以参照不同章节内容对忆阻元件与忆阻电路开展相应的研究工作。本书是作者三年来部分研究成果的总结和提炼,选择了一些浅显易懂的内容,侧重忆阻元件基本概念和忆阻电路基本分析,可读性较强,可作为高等院校电子信息工程专业或相关专业的本科生电路理论研究性学习内容和研究生教材或教学参考书,也可作为自然科学和工程技术领域中的高校教师和研究人员的参考书。
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  • 第 1章忆阻元件概述 1

    1.1引言 1

    1.1.1 基本电路元件 2

    1.1.2 理想忆阻的定义 3

    1.1.3 忆阻伏安关系 4

    1.2忆阻模型 5

    1.2.1 物理器件模型 5

    1.2.2 数学理论模型 8

    1.3忆阻的特征 11

    1.3.1 忆阻的一般定义 11

    1.3.2 忆阻的本质特征 12

    1.3.3 磁滞回线横截性 16

    1.4忆阻模型特征比较 17

    第 2章忆阻电路概述 21

    2.1引言 21

    2.2忆阻等效电路 22

    2.2.1 忆阻模型电路 22

    2.2.2 广义忆阻电路 25

    2.2.3 等效模拟电路 26

    2.3基础忆阻电路 29

    2.3.1 复合忆阻电路 30

    2.3.2 简单忆阻电路 32

    2.4忆阻应用电路 32

    2.4.1 忆阻混沌电路 32

    2.4.2 忆阻桥突触电路 35

    2.4.3 类正弦忆阻振荡器 37

    2.5小结 40

    第 3章忆阻电路时域分析 41

    3.1引言 41

    3.2三次非线性磁控忆阻 41

    3.2.1 磁控忆阻模型 42

    3.2.2正弦激励分析 43

    3.2.3 磁控忆阻特征 44

    3.3并联忆阻电路时域分析 45

    3.3.1 并联 MC电路分析 45

    3.3.2 并联 ML电路分析 47

    3.4并联忆阻电路仿真与实验 48

    3.4.1磁控忆阻等效电路 48

    3.4.2 并联 MC电路验证 50

    3.4.3 并联 ML电路验证 51

    3.5小结 53

    第 4章忆阻电路频域分析 54

    4.1引言 54

    4.2二次非线性有源磁控忆阻 54

    4.2.1 有源磁控忆阻模型 55

    4.2.2 有源磁控忆阻特征 56

    4.2.3有源磁控忆阻等效电路 58

    4.2.4 有源磁控忆阻电路仿真 59

    4.3串联忆阻电路频域分析 60

    4.3.1 忆阻电路频率特性 61

    4.3.2 忆阻电路频率响应曲线 63

    4.3.3 等效电路仿真验证 64

    4.4小结 65

    第 5章忆阻电路动力学分析 66

    5.1引言 66

    5.2四阶忆阻混沌电路 67

    5.2.1 模型与混沌吸引子 67

    5.2.2 平衡集与稳定性 70

    5.2.3 依赖于初始状态的动力学 71

    5.2.4 依赖于电路参数的动力学 72

    5.3两个忆阻的混沌电路 73

    5.3.1 模型与混沌吸引子 74

    5.3.2 平衡集与稳定性 76

    5.3.3 复杂非线性现象分析 78

    第 6章忆阻电路降维建模 81

    6.1引言 81

    6.2忆阻电路建模问题 82

    6.2.1 蔡氏忆阻电路 82

    6.2.2 蔡氏忆阻电路常规建模 83

    6.2.3 蔡氏忆阻电路降维建模 84

    6.3忆阻电路降维建模 85

    6.3.1 两个忆阻的混沌电路 85

    6.3.2 动力学降维建模 86

    6.3.3 降维模型的混沌吸引子 88

    6.4降维模型的动力学特性 89

    6.4.1 平衡点与稳定性 89

    6.4.2 分岔分析 90

    6.5两种模型的特性比较 93

    6.5.1 平衡点与稳定性比较 93

    6.5.2 动力学特性比较 94

    6.6小结 96

    第 7章记忆元件与记忆系统 97

    7.1引言 97

    7.2记忆元件建模 98

    7.2.1 记忆元件定义 98

    7.2.2 紧磁滞回线 99

    7.3混沌记忆系统 100

    7.3.1 数学模型和混沌吸引子 100

    7.3.2 平衡集与稳定性 101

    7.4混沌记忆系统复杂动力学 103

    7.4.1 依赖于记忆元件初始状态 103

    7.4.2 复杂瞬态转移现象 104

    7.5实验和 PSIM仿真验证 107

    7.5.1 记忆元件实验测量 107

    7.5.2 混沌记忆系统实验测量 108

    7.5.3 依赖于初始状态的 PSIM仿真 109

    7.6小结 111

    第 8章荷控忆阻等效分析 112

    8.1引言 112

    8.2荷控忆阻等效模型 113

    8.3荷控忆阻特性分析 114

    8.3.1 无源荷控忆阻分析 114

    8.3.2 有源荷控忆阻分析 117

    8.4等效电路与实验验证 119

    8.4.1 等效分析电路 119

    8.4.2 实验验证 121

    8.5小结 123

    第 9章忆阻电路映射等效分析 124

    9.1引言 124

    9.2映射等效法 125

    9.2.1 非线性伏安电路模型 125

    9.2.2 非线性韦库电路模型 126

    9.2.3 映射等效法 127

    9.3忆阻混沌电路等效分析 128

    9.3.1 忆阻混沌电路动力学分析 128

    9.3.2 采用蔡氏混沌电路等效分析 130

    9.3.3 两个混沌电路的动力学说明 131

    9.4忆阻混沌电路等效实现 133

    9.4.1 统一等效电路设计 133

    9.4.2 电路实验观察 134

    9.5小结 135

    附录忆阻是动态元件吗? 136

    A.1引言 136

    A.2两个电路定律 137

    A.3基础元件韦库关系 138

    A.4忆阻电路的动力学方程 138

    A.5结论 140参考文献 143中英文名词对照表 148]]>
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