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植根厚土 笃行致远：郑厚植院士文集


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植根厚土 笃行致远：郑厚植院士文集
  • 书号：9787030717481
    作者：中国科学院半导体研究所
  • 外文书名：
  • 装帧：圆脊精装
    开本：16
  • 页数：639
    字数：1300000
    语种：zh-Hans
  • 出版社：科学出版社
    出版时间：2022-06-01
  • 所属分类：理论物理学
  • 定价： ￥580.00元
    售价： ￥377.00元
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本书梳理和总结中国科学院院士、物理学家郑厚植先生近60年从事物理学领域科研活动的历程。主要包括郑厚植院士生活和工作的珍贵照片、有代表性的研究论文、科研评述、学术咨询、自传等内容。郑厚植院士是我国著名的物理学家，在理论及应用方面对半导体低维量子结构中的新效应进行了系统的研究，并取得多项重要成果，对推动我国半导体物理科学领域的学术繁荣、学科发展、技术创新、产业振兴以及人才培养做出了重要贡献。
本书梳理和总结中国科学院院士、物理学家郑厚植先生近60年从事物理学领域科研活动的历程。主要包括郑厚植院士生活和工作的珍贵照片、有代表性的研究论文、科研评述、学术咨询、自传等内容。郑厚植院士是我国著名的物理学家，在理论及应用方面对半导体低维量子结构中的新效应进行了系统的研究，并取得多项重要成果，对推动我国半导体物理科学领域的学术繁荣、学科发展、技术创新、产业振兴以及人才培养做出了重要贡献。
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    序
    第一部分　自述
    自述　3
    第二部分　论著选编
    Magnetoconductance studies on InP surfaces　13
    Electron subbands on InP　19
    Electron subbands on InP　23
    Observation of size effect in the quantum Hall regime　41
    Distribution of the quantized Hall potential in GaAs AlxGa1-xAs heterostructures　49
    Size effect in the quantum Hall regime　56
    Gate controlled transport in narrow GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures　61
    Influences of particle hole Hartree interaction on magnetoresistances in disordered two dimensional hole systems　70
    Influences of a parallel magnetic field on localization of disordered twodimensional electrons in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures　86
    Nonresonant magnetotunneling in asymmetric GaAs/AlAs doublebarrier structures　93
    Γ-X-Γ magneto tunneling oscillations in GaAs/AlAs double barrier structures　100
    Tunneling escape time of electrons from a quantum well with Γ-X mixing effect　107
    Density of states of the twodimensional electron gas studied by magnetocapacitances of biased double barrier structures　114
    Studies on tunneling escape time of electrons from a quantum well in multilayered heterostructures　129
    Direct observation for the reduction of exciton binding energy induced by perpendicular electric field　136
    Subband separation energy dependence of intersubband relaxation time in wide quantum wells　143
    The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix　150
    Suppression of sequential tunneling current by a perpendicular magnetic field in a three barrier, two well heterostructure　157
    Electron transport through a double quantum dot structure with intradot and interdot Coulomb interactions　163
    Magnetoexciton polaritons in planar semiconductor microcavities　172
    Electrical manifestation of the quantum confined Stark effect by quantum capacitance response in an optically excited quantum well　180
    Capacitance voltage characteristic as a trace of the exciton evolvement from spatially direct to indirect in quantum wells　188
    ivInfluence of transverse interdot coupling on transport properties of an Aharonov Bohm structure composed by two dots and two reservoirs　195
    Ultrafast geometric manipulation of electron spin and detection of the geometric phase via Faraday rotation spectroscopy　206
    Evaluation of holonomic quantum computation:adiabatic versus nonadiabatic　214
    Mode splitting in photoluminescence spectra of a quantum dot embedded microcavity　222
    Conditions for the local manipulation of tripartite Gaussian states　229
    Laterally confined modes in wet etched, metal coated, quantum dot inserted pillar microcavities　237
    Noiseless method for checking the Peres separability criterion by local operations and classical communication　244
    A convenient way of determining the ferromagnetic transition temperature of metallic (Ga,Mn)As　253
    A new type of photoelectric response in a double barrier structure with a wide quantum well　262
    Spin polarized injection into a p-type GaAs layer from a Co2MnAl injector　267
    Measurement of the transmission magnetic circular dichroism of Ga1-x MnxAs epilayers using a built in p-i-n photodiode　275
    Valley Zeeman splitting of monolayer MoS2 probed by low-field magnetic circular dichroism spectroscopy at room temperature　284
    GaAs/P型AlxGa1-xAs 异质结界面二维空穴的量子输运特性　295
    Photonstorage in optical memory cells based on a semiconductor quantum dot quantum well hybrid structure　304
    Conditions for the local manipulation of all bipartite Gaussian states　312
    静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究　320
    Electronic band structures and electron spins of InAs/GaAs quantum dots induced by wettinglayer fluctuation　325
    Electric field control of deterministic current induced magnetization switching in a hybrid ferromagnetic/ferroelectric structure　336
    Tuning a binary ferromagnet into a multistate synapse with spin orbit torque induced plasticity　346
    超导/低维电子气耦合体系研究　361
    半导体微腔中的重要物理现象　385
    第三部分　科研评述
    郑厚植与低维半导体物理　421
    第四部分　学术咨询
    创新三思　435
    21世纪的纳米技术　439
    我国半导体超晶格科学的进展　442
    学习《论科学技术》培养青年科技人才　448
    迎接挑战，重视量子结构、量子器件及其集成技术的基础研究　450
    整数、分数量子霍尔效应简介　453
    中国科技如何应对WTO　470
    人工物性剪裁——半导体超晶格物理、材料及新器件结构的探索　472
    微电子、光电子与微系统子领域技术趋势与展望　475
    具有变革性的光电子、光子器件技术发展路线图　479
    半导体物理　485
    关于影响我国发展的重大科技问题的思考　494
    关于太阳能作为可再生能源的经济评价　499
    太阳能发电作为可再生能源的主要科学技术问题　503
    关于发展我国新固态光源（SSL）的建议　513
    第五部分　信件往来
    给常州市怀德苑小学四（1）班同学们的一封信　523
    给常州市怀德苑小学三（5）班同学们的一封信　524
    给学生的一封回信　525
    一段遥远的回忆——祝贺我的母校上海市曹杨第二中学建校60周年　526
    第六部分　行政管理
    中国科学院半导体研究所《知识创新工程》试点方案概要　529
    半导体超晶格国家重点实验室的建立和发展　532
    关于国家“十五”科技计划体系研究的一点看法　536
    关于研究所发展战略的若干思考——高技术创新与资本运营　538
    光辉的业绩，永恒的师表　541
    深化改革、继往开来——纪念中国科学院半导体研究所建所40周年　543
    中国科学院半导体研究所改革进程的若干情况　547
    所长任期述职报告（1994—1998年）　566
    所长述职报告（1999—2002年）　580
    携手前进、迎接挑战——祝贺清华大学微电子学研究所成立20周年　618
    在第十四届全国半导体物理学术会议暨半导体物理学术讨论会开幕式上的讲话　620
    在中国科学院半导体研究所领导换届大会上的讲话622
    继往开来，重视和加强低维量子结构的物理研究——祝贺黄昆院士80华诞　624
    一代宗师德厚流光——纪念黄昆先生诞辰100周年　625
    荣誉表彰　631
    授权专利　632
    培养学生名单　635
    大事记　637
    后记　639
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