0去购物车结算
购物车中还没有商品，赶紧选购吧！
当前位置: 图书分类 > 科普读物 > 经管社科 > 华年日拾——梁骏吾院士80华诞记怀

相同语种的商品

相同作者的商品

销售排行榜

华年日拾——梁骏吾院士80华诞记怀


联系编辑
 
标题：
 
内容：
 
联系方式：
 
  
华年日拾——梁骏吾院士80华诞记怀
  • 书号：9787030384447
    作者：本书编写组
  • 外文书名：
  • 装帧：圆脊精装
    开本：16
  • 页数：348
    字数：900
    语种：汉语
  • 出版社：科学出版社
    出版时间：2017-04-21
  • 所属分类：经管社科
  • 定价： ￥500.00元
    售价： ￥325.00元
  • 图书介质:
    纸质书 按需印刷 电子书

  • 购买数量： 件  可供
  • 商品总价：

相同系列
全选

内容介绍

样章试读

用户评论

全部咨询

　　本书梳理和总结了中国工程院院士、物理学家梁骏吾50多年来从事半导体材料和材料物理学科研活动的历程。主要包括科研成果、学术论文、专利发明、学术报告、获奖情况和生平年表等内容。梁骏吾是我国早期半导体硅材料的奠基人，长期从事半导体硅材料的物理性质、硅单晶的质量、硅单晶中的杂质行为、微缺陷等方面的研究，以及开拓新型半导体硅单晶材料的研究。 　　本书为中国科学院半导体研究所提供了宝贵的图文资料，可供从事半导体材料和材料物理学等相关专业的科研人员和管理工作者参考。
　　本书梳理和总结了中国工程院院士、物理学家梁骏吾50多年来从事半导体材料和材料物理学科研活动的历程。主要包括科研成果、学术论文、专利发明、学术报告、获奖情况和生平年表等内容。梁骏吾是我国早期半导体硅材料的奠基人，长期从事半导体硅材料的物理性质、硅单晶的质量、硅单晶中的杂质行为、微缺陷等方面的研究，以及开拓新型半导体硅单晶材料的研究。 　　本书为中国科学院半导体研究所提供了宝贵的图文资料，可供从事半导体材料和材料物理学等相关专业的科研人员和管理工作者参考。
样章试读
  • 暂时还没有任何用户评论
总计 0 个记录，共 1 页。 第一页 上一页 下一页 最末页

全部咨询(共0条问答)

  • 暂时还没有任何用户咨询内容
总计 0 个记录，共 1 页。 第一页 上一页 下一页 最末页
用户名： 匿名用户
E-mail：
咨询内容：

目录

  • 序
    我国新型硅材料的开拓者 记中国科学院半导体研究所研究员梁骏吾
    学术论文
    Investigation of Heterostructure Defects for LPE Ga_1-xAl_xAs/GaAs
    Investigation of N-doped FZ Si Crystals
    The Interaction Between Impurities and Defects in Semiconductors
    Behaviors of Dislocations During Sl’s Growth and Crystal Quality Assessment
    Thermodynamic and Fluid Dynamic Analyses of GaAs Movpe Process
    Photoluminescence Spectrum Study of the GaAs/Si Epilayer Grown by using a Thin Amorphous Si Film as Buffer Layer
    Dissociated Screw Dislocation Which Can Relieve Strain Energy in the Epitaxial Layer of GeSi on Si(001)
    Hrtem Study of Dislocations in GeSi/Si Heterostructures Grown by VPE
    Kinetics and Transport Model for the Chemical Vapor Epitaxy of Ge_xSi_1-x
    The Dependence of Ge_xSi_1-xEpitaxial Growth on GeH4 Flow Using Chemical Vapour Deposition
    Physical Properties and Growth of SiC
    Study on Photoluminescence Spectra of SiC
    Raman Study on Residual Strains in Thin 3C-SiC Epitaxial Layers Grown on Si(001)
    Investigation of{111}A and{111}B Planes of c-GaN Epilayers Grown on GaAs(001)by MOCVD
    Microtwins and Twin Inclusions in the 3C-SiC Epilayers grown on Si(001)by APCVD
    Determination of Structure and Polarity of SiC Single Crystal by X-Ray Diffraction Technique
    Is Thin-Film Solar Cell Technology Promising?
    Optical and Electrical Properties of GaN:Mg Grown by MOCVD
    Defect Cluster-Induced X-Ray Diffuse Scattering in GaN Films Grown by MOCVD
    Growth of AlGaN Epitaxial Film with High Al Content by Metalorganic Chemical Vapour Deposition
    Temperature Distribution in Ridge Structure InGaN Laser Diodes and Its Influence on Device Characteristics
    Abatement of Waste Gases and Water During the Processes of Semiconductor Fabrication
    Control of Arsenic Pollution from Waste Gases During Fabrication of Semiconductor
    О летучести окиси бора в гелии и водороде при наличии водяного пара
    О растворимости кислорода в жидком кремнии
    直拉硅单晶碳沾污的研究
    LPE Ga_1-xAl_xAs/GaAs界面缺陷观察
    Si-C相图的研究及碳对硅单晶质量的影响
    掺氮区熔硅单晶深能级的研究
    Ge在GaAs液相外延中的行为
    杂质在硅和砷化镓中行为
    两性杂质锗在LPE GaAs中分凝系数和占位比的计算
    半导体(目录)
    水平式矩形硅外延系统的计算机模拟
    低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析
    GaAs/Si外延层X射线双晶衍射摇摆曲线的动力学模拟和位错密度的测量
    SIPOS膜的结构组成
    半导体材料与器件生产工艺尾气中砷、磷、硫的治理及检测
    GeSi CVD系统的流体力学和表面反应动力学模型
    MOVPE生长Ca(CH_3)_3—AsH_3—H_2体系中砷的形态转化及砷的治理
    用固相外延方法制备Si_1-x-yGe_xC_y三元材料
    兴建年产一千吨电子级多晶硅工厂的思考
    电子级多晶硅的生产工艺
    中国信息产业领域相关重点基础材料科技发展战略研究
    中国硅材料工业的前景与挑战
    半导体硅片生产形势的分析
    光伏产业面临多晶硅瓶颈及对策
    “十五”期间中国半导体硅材料发展战略思路和建议
    薄膜光伏电池中的材料问题
    降低超大规模集成电路用高纯水中总有机碳的能量传递光化学模型
    附录
    附录一 梁骏吾活动年表
    附录二 梁骏吾获奖情况
    附录三 所获得的专利目录
    附录四 学术报告目录
    附录五 工程院院士建议
    后记
帮助中心
公司简介
联系我们
常见问题
新手上路
发票制度
积分说明
购物指南
配送方式
配送时间及费用
配送查询说明
配送范围
快递查询
售后服务
退换货说明
退换货流程
投诉或建议
版权声明
经营资质
营业执照
出版社经营许可证

中国科技出版传媒股份有限公司　版权所有

本平台为互联网非涉密平台，严禁处理、传输国家秘密。

　

京ICP备14028887号-5　 京ICP证150976号 京公网安备 11010102004214号

北京东黄城根北街16号 邮编：100717 Email:webmaster@mail.sciencep.com