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高温SiC MEMS传感器的热电特性


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高温SiC MEMS传感器的热电特性
  • 书号：9787030724892
    作者：王兴华等
  • 外文书名：
  • 装帧：平装
    开本：B5
  • 页数：133
    字数：138000
    语种：zh-Hans
  • 出版社：科学出版社
    出版时间：2022-06-01
  • 所属分类：
  • 定价： ￥88.00元
    售价： ￥69.52元
  • 图书介质:
    纸质书

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本书主要介绍了碳化硅(SiC)传感器在高温下热电特性的研究进展。本书可分为三部分，共七章。第一部分从单层SiC和多层SiC的热阻效应、热电效应、热电子效应和热电容效应等物理效应方面来介绍SiC的热电特性；第二部分介绍了SiC的诸多重要特征以及SiC MEMS的制造流程，总结了SiC传感器、热流传感器和对流惯性传感器的最新进展；第三部分论述了SiC热电传感器的应用前景。
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    第1章　SiC及热电特性简介　1
    1.1　背景　1
    1.2　SiC　3
    1.3　SiC 生长　4
    1.4　热电特性　5
    1.5　高温SiCMEMS传感器　7
    参考文献　8
    第2章　SiC热电特性基础　12
    2.1　热阻效应　12
    2.1.1　半导体材料的物理参数与基本概念　14
    2.1.2　单晶碳化硅　15
    2.1.3　多晶破化硅　17
    2.1.4　非晶碳化硅　18
    2.2　热电子效应　18
    2.3　热电容效应　20
    2.4　热电效应　20
    2.5　高温下SiC热电特性的研究现状　21
    2.5.1　热电效应的试验装置　22
    2.5.2　单层SiC的热阻效应　22
    2.5.3　多层SiC的热电效应　31
    2.6　4H-SiCp-n结　33
    2.7　高温下其他热电特性　36
    2.7.1　热电效应　36
    2.7.2　热电容效应　38
    参考文献　39
    第3章　高温SiC传感器的理想性能　47
    3.1　灵敏度　47
    3.2　线性度　50
    3.3　热响应时间　51
    3.4　低功耗　53
    3.5　稳定性和其他性能　54
    参考文献　55
    第4章　SiCMEMS传感器的制备　60
    4.1　生长与掺杂　60
    4.1.1　SiC的生长　60
    4.1.2　SiC掺杂　62
    4.2　SiC刻蚀　63
    4.2.1　电化学刻蚀　64
    4.2.2　化学刻蚀　65
    4.2.3　干法刻蚀或反应离子刻蚀　65
    4.3　SiC的欧姆接触和肖特基接触　67
    4.3.1　欧姆接触　67
    4.3.2　肖特基接触　71
    4.4　SiCMEMS传感器的制造工艺　74
    4.4.1　表面微加工工艺　74
    4.4.2　体微加工工艺　74
    4.4.3　集成冷却系统的MEMS器件的制备　77
    参考文献　78
    第5章　设计和工艺对SiC热器件性能的影响　84
    5.1　衬底影响　84
    5.2　掺杂影响　85
    5.3　表面形貌　87
    5.4　沉积温度　88
    5.5　几何与尺寸　89
    参考文献　90
    第6章　SiC热电特性的应用　96
    6.1　温度传感器、温度控制/补偿与热测量　96
    6.1.1　热电阻　97
    6.1.2　p～n结温度传感器　99
    6.2　热阻传感器　100
    6.2. 1　热线及热膜式流量传感器　102
    6.2. 2　量热式流量传感器　107
    6.2.3　飞行时间流量传感器　108
    6.3　对流加速度计与陀螺仪　109
    6.3.1　对流加速度计　109
    6.3.2　对流陀螺仪　110
    6.4　其他应用　111
    6.4.1　易燃气体传感器　111
    6.4.2　集成加热、感知和微流控冷却的SiC MEMS　112
    参考文献　116
    第7章　SiC热电传感器展望　123
    7.1　绝缘体上SiC薄膜　123
    7.2　SiC热电器件与其他材料的集成　125
    7.3　SiC热驱动器　126
    7.4　SiC传感器的发展与挑战　127
    参考文献　129
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