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半导体激光器能带结构和光增益的量子理论(下册)


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半导体激光器能带结构和光增益的量子理论(下册)
  • 书号:9787030473806
    作者:郭长志
  • 外文书名:
  • 装帧:圆脊精装
    开本:B5
  • 页数:408
    字数:510
    语种:zh-Hans
  • 出版社:
    出版时间:2016-03-28
  • 所属分类:
  • 定价: ¥168.00元
    售价: ¥132.72元
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量子理论是研究半导体激光器中:①体半导体、量子阱、量子线、量子点等增益介质的电子能谱结构,及其②电子与辐射光场的相互作用,包括光的产生、吸收、放大和散射等涉及不同能带之间、能带以内不同子带或各种晶格缺陷和杂质能级之间的光跃迁和非光跃迁、带内散射和弛豫等决定半导体激光器涉及光电性能的重要量子行为。其中①和②分别用单电子近似理论和半经典理论处理。任务是研究对半导体激光器的激射阈值、激光功率、调制速率、器件结构和激光波段等的设计都有根本意义的激光材料光增益谱结构和激光量子效率等。全书论述既重基础又涉前沿,既重物理概念又重推导编程演算,最后对全量子理论也有简要的介绍。
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    总序
    第2章半导体能带之间的跃迁481
    2.3光跃迂的量子力学481
    2.3.3连续能态在能级跃迂中的作用481
    2.3.4带内弛豫及其谱线展宽492
    2.3.5量子阱结构的带间光跃迂谱497
    2.3.6光跃迂动量矩阵元的计算501
    2.3.7间接带隙半导体的带间光跃迂533
    2.3.8与杂质有关的光跃迂-无k选择定则558
    2.3.9能带的非抛物性及其影响567
    2.3.10多体相互作用的能带隙重整化576
    2.3.11量子阱中的能带混合效应及其影响584
    2.3.12大应变对增益的影响589
    2.3.13应变程度的极限597
    2.3.14量子阱微分增益及其作用616
    2.3.15折射率(势垒)渐变分别限制量子阱的增益628
    2.3.16量子阱激光器的激射阔值634
    2.4温度对阔值的影响——T0问题643
    2.4.1总论643
    2.4.2俄歇复合过程的量子理论656
    2.4.3价带间光吸收过程673
    2.4.4温度对光增益谱的影响675
    2.4.5数值结果与讨论677
    第3章半导体带内能态之间的跃迁和量子光学689
    3.1量子阱中的子带间光跃迂689
    3.1.1子带间光吸收689
    3.1.2子带间光发射702
    3.1.3QCL能谱和波函数设计718
    3.2量子阱中电子子带能级的寿命时间735
    3.2.1决定能级寿命的散射过程735
    3.2.2量子阱结构中载流子的非平衡收集过程775
    3.3辐射的全量子理论和半经典理论的极限784
    3.3.1辐射及其波粒二重性784
    3.3.2辐射场的量子化796
    3.3.3辐射的吸收和发射807
    3.3.4相干函数822
    3.3.5相干态830
    3.3.6半经典理论和量子电动力学844
    3.3.7量子力学的基本公设、表象与图像850
    附录A数值计算分析的编程862
    A-1函数值的计算分析和二维绘图862
    A-2方程求解、函数计算和绘图871
    A-3三维绘图873
    附录B基本物理常数的数值和单位量纲877
    索引878
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