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半导体物理


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半导体物理
  • 书号:9787030829771
    作者:刘诺等
  • 外文书名:
  • 装帧:平装
    开本:16
  • 页数:326
    字数:820000
    语种:zh-Hans
  • 出版社:科学出版社
    出版时间:2026-06-01
  • 所属分类:
  • 定价: ¥99.00元
    售价: ¥78.21元
  • 图书介质:
    纸质书

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内容介绍

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本书是微电子技术领域的半导体物理教程,分为四篇,11章。主要内容为半导体的晶体结构与价键模型、半导体的电子结构:载流子的定性描述;热平衡载流子的定量描述和非平衡载流子的定量描述、三维半导体中载流子的低场电输运;PN结、异质结、金属-半导体的接触、半导体表面效应和金属-绝缘体-半导体结构以及半导体的光吸收、光发射及光电效应。教辅《半导体物理知识要点、习题和题解》既与本书章节知识体系配套又自成体系。
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    丛书序言
    前言
    常用符号
    第一篇 半导体基础概要
    第1章 半导体的晶体结构与价键模型 3
    1.1 材料和固体的分类 3
    1.1.1 固体分类 3
    1.1.2 空间点阵 6
    1.2 米勒指数 11
    1.2.1 晶面的米勒指数 12
    1.2.2 晶向的米勒指数 12
    1.3 半导体分类 13
    1.4 原子价键 14
    1.4.1 共价键 15
    1.4.2 离子键 18
    1.4.3 金属键 18
    1.4.4 范德瓦耳斯键 19
    1.5 几种重要的三维晶体结构的定性描述 19
    1.5.1 金刚石型结构 19
    1.5.2 部分化合物半导体结构 20
    1.6 半导体中的缺陷和杂质 26
    1.6.1 半导体中的缺陷 26
    1.6.2 半导体中的杂质 27
    1.7 思维导图 28
    重要术语一览 28
    思考题 30
    习题 30
    测试题 30
    第2章 半导体的电子结构 31
    2.1 量子力学初步概要 31
    2.1.1 光电效应、能量量子化与波粒二象性 32
    2.1.2 测不准原理 33
    2.1.3 氢原子的玻尔模型与量子化能级 33
    2.1.4 薛定谔方程 33
    2.1.5 波函数的物理意义 35
    2.1.6 薛定谔方程应用举例 35
    2.2 晶体能带的定性模型 44
    2.3 金属、半导体和绝缘体 46
    2.3.1 满带电子不导电 46
    2.3.2 金属、半导体和绝缘体的能带 46
    2.4 半导体的带隙类型与禁带宽度 49
    2.4.1 带隙类型 49
    2.4.2 禁带宽度 51
    2.4.3 禁带宽度的温度系数特征 54
    2.4.4 重掺杂禁带变窄效应 55
    2.4.5 部分化合物的禁带宽度特点 56
    2.5 部分半导体的E?k能带结构 56
    2.5.1 Si、Ge的E?k能带结构 57
    2.5.2 部分Ⅲ?Ⅴ族化合物半导体的E?k能带结构 58
    2.6 有效质量 63
    2.6.1 有效质量的定义 63
    2.6.2 有效质量的意义 65
    2.7 能带工程简介 66
    2.7.1 异质结及其带阶 67
    2.7.2 超晶格与量子限制结构 67
    2.7.3 能带工程应用举例 68
    2.8 思维导图 70
    重要术语一览 70
    思考题 71
    习题 71
    测试题 72
    第二篇 半导体中的载流子
    第3章 载流子的定性描述 75
    3.1 热平衡态与非平衡态 77
    3.2 杂质、缺陷及其能级 77
    3.2.1 浅能级杂质 78
    3.2.2 深能级杂质 80
    3.2.3 等电子杂质 81
    3.2.4 缺陷能级 81
    3.3 载流子的产生 82
    3.3.1 本征半导体与本征激发 82
    3.3.2 杂质半导体与浅能级杂质 84
    3.4 载流子的复合、俘获与深能级杂质 89
    3.4.1 直接复合 89
    3.4.2 间接复合 90
    3.4.3 载流子的俘获 91
    3.4.4 激子复合 92
    3.4.5 俄歇复合 94
    3.4.6 施主?受主对之间的复合 94
    3.5 思维导图 95
    重要术语一览 95
    思考题 96
    习题 96
    测试题 96
    第4章 热平衡载流子的定量描述 97
    4.1 载流子的统计分布 97
    4.1.1 状态密度、态密度有效质量和电导有效质量 98
    4.1.2 分布函数 100
    4.1.3 导带电子浓度的公式与价带空穴浓度的公式 102
    4.1.4 质量作用定律 104
    4.1.5 简并半导体与非简并半导体 106
    4.2 本征半导体的载流子 107
    4.2.1 本征半导体的载流子浓度 107
    4.2.2 本征半导体的费米能级 109
    4.3 非简并杂质半导体的载流子 111
    4.3.1 杂质能级上的电子和空穴 111
    4.3.2 电中性方程 112
    4.3.3 n型半导体的载流子浓度 113
    4.3.4 费米能级 121
    4.4 思维导图 125
    重要术语一览 125
    思考题 125
    习题 125
    测试题 126
    第5章 非平衡载流子的定量描述 127
    5.1 非平衡载流子的注入与复合 127
    5.1.1 非平衡载流子与非平衡态下的载流子 127
    5.1.2 准费米能级 129
    5.2 非平衡载流子的寿命 133
    5.3 复合理论 135
    5.3.1 直接复合 135
    5.3.2 间接复合 137
    5.3.3 表面复合 141
    5.3.4 俘获截面 142
    5.3.5 载流子的抽取 142
    5.4 陷阱效应 143
    5.5 思维导图 145
    重要术语一览 146
    思考题 146
    习题 146
    测试题 147
    第三篇 半导体中载流子的电输运
    第6章 三维半导体中载流子的低场电输运 151
    6.1 漂移运动与漂移电流 151
    6.1.1 漂移运动、散射与热运动 151
    6.1.2 漂移电流密度 153
    6.1.3 迁移率、散射及其与温度和杂质浓度的关系 153
    6.1.4 半导体中的电导率及其与温度和杂质浓度的关系 161
    6.1.5 强电场效应 165
    6.2 扩散运动与扩散电流 169
    6.2.1 稳态扩散方程与稳态扩散分布 169
    6.2.2 扩散电流 171
    6.3 电流密度方程与爱因斯坦关系 171
    6.3.1 电流密度方程 171
    6.3.2 爱因斯坦关系 172
    6.4 连续性方程 174
    6.5 思维导图 176
    重要术语一览 176
    思考题 177
    习题 178
    测试题 179
    第四篇 半导体的界面和半导体的光电效应
    第7章 PN结 183
    7.1 理想PN结 183
    7.2 热平衡条件下的PN结 185
    7.2.1 热平衡条件下PN结的能带图 185
    7.2.2 内建电势 186
    7.2.3 耗尽近似与中性近似 186
    7.2.4 内建电场和耗尽区宽度 187
    7.2.5 载流子分布 189
    7.3 PN结的电流?电压特性 190
    7.3.1 外加偏压下PN结的能带图 190
    7.3.2 理想PN结电流?电压特性——肖克莱方程 194
    7.3.3 非理想情况对电流?电压特性的影响 198
    7.4 PN结的击穿特性 203
    7.4.1 雪崩击穿 203
    7.4.2 齐纳击穿 205
    7.4.3 热击穿 205
    7.5 PN结的电容特性 206
    7.5.1 势垒电容 206
    7.5.2 扩散电容 207
    7.5.3 交流小信号等效电路 209
    7.6 思维导图 210
    重要术语一览 211
    思考题 211
    习题 211
    测试题 212
    第8章 异质结 213
    8.1 异质结的类型 213
    8.2 异质结热平衡状态 215
    8.3 异质结的电流?电压特性 221
    8.4 异质结的独特光电性质 227
    8.4.1 太阳能电池 227
    8.4.2 发光二极管 228
    8.4.3 二维电子气 229
    8.4.4 单载流子型器件 230
    8.4.5 二维范德瓦耳斯异质结器件 231
    8.5 思维导图 232
    重要术语一览 232
    思考题 233
    习题 233
    测试题 233
    第9章 金属?半导体的接触 235
    9.1 金属?半导体接触的能带图 235
    9.1.1 功函数和接触电势差 235
    9.1.2 阻挡层和反阻挡层的形成 237
    9.1.3 金属?半导体肖特基接触 239
    9.1.4 表面态对能带的影响 240
    9.2 肖特基势垒的整流特性 242
    9.3 肖特基势垒的电流输运 243
    9.3.1 热电子发射理论 244
    9.3.2 扩散理论 247
    9.3.3 镜像力和隧道效应的影响 249
    9.4 势垒电容 251
    9.5 肖特基二极管的应用 252
    9.6 金属?半导体欧姆接触 253
    9.7 思维导图 256
    重要术语一览 256
    思考题 256
    习题 257
    测试题 258
    第10章 半导体表面效应和MIS结构 260
    10.1 理想MIS结构的能带图以及电荷分布 260
    10.2 空间电荷区 265
    10.2.1 半导体表面电荷面密度随表面势的变化 267
    10.2.2 半导体表面层的电场Es 270
    10.2.3 半导体表面层的电容Cs 270
    10.2.4 耗尽层宽度 271
    10.2.5 深耗尽状态 271
    10.3 理想MIS结构的电容?电压特性及影响因素 272
    10.3.1 理想MIS结构的电容?电压特性 272
    10.3.2 理想MIS结构电容?电压特性的影响因素 280
    10.4 非理想MIS结构的电容?电压特性 281
    10.4.1 金属?半导体功函数差对MIS结构电容?电压特性的影响 282
    10.4.2 绝缘层电荷对MIS结构电容?电压特性的影响 283
    10.4.3 界面态对MIS结构电容?电压特性的影响 291
    10.5 场效应和表面电导 292
    10.6 MOS电容器的发展状况 293
    10.7 思维导图 294
    重要术语一览 294
    思考题 295
    习题 295
    测试题 297
    第11章 半导体的光吸收、光发射及光电效应 301
    11.1 半导体与光的相互作用 301
    11.2 直接带隙与间接带隙跃迁 304
    11.3 半导体的光吸收 305
    11.3.1 本征吸收 305
    11.3.2 非本征吸收 306
    11.4 半导体的光发射 309
    11.4.1 辐射复合 309
    11.4.2 半导体量子阱中的激子辐射复合 312
    11.4.3 非辐射复合 314
    11.4.4 发光效率 314
    11.5 半导体的光电效应 315
    11.5.1 光电导效应 316
    11.5.2 光生伏特效应 319
    11.6 思维导图 320
    重要术语一览 320
    思考题 321
    习题 321
    测试题 321
    参考文献 322
    附录 327
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