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半导体物理基础


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半导体物理基础
  • 书号:9787030287281
    作者:黄昆,韩汝琦
  • 外文书名:
  • 装帧:平装
    开本:B5
  • 页数:292
    字数:357000
    语种:中文
  • 出版社:科学出版社
    出版时间:1979-07-15
  • 所属分类:
  • 定价: ¥98.00元
    售价: ¥98.00元
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  本书主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理;第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析;第5章结合具体的半导体材料,介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。
  本书对一些基本概念的讲述做到了深入浅出、便于自学,在结合具体的半导体材料讲述晶体缺陷方面做了新的尝试。本书可以作为高等学校有关课程的教学参考书,也可供从事半导体技术工作的科技人员和工人阅读。
样章试读
  • wx_科尔沁·宝35518 ( 2021-04-18 21:02:46 )

    黄大师的力作,龙门书局的精心服务。感谢!

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目录

  • 前言
    第1章 掺杂半导体的导电性
    1.1 掺杂和载流子
    1.2 电导率和电阻率
    1.3 迁移率
    1.4 测量电阻率的四探针方法
    1.5 扩散薄层的方块电阻
    第2章 能级和载流子
    2.1 量子态和能级
    2.2 多子和少子的热平衡
    2.3 费米能级
    2.4 电子的平衡统计分布规律
    2.5 非平衡载流子的复合
    2.6 非平衡载流子的扩散
    第3章 pn结
    3.1 pn结的电流-电压关系
    3.2 空间电荷区中的复合和产生电流
    3.3 晶体管的电流放大作用
    3.4 高掺杂的半导体和pn结
    3.5 pn结的击穿
    3.6 pn结的电容效应
    3.7 金属-半导体接触
    第4章 半导体表面
    4.1 表面空间电荷区及反型层
    4.2 MIS电容器——理想C(V)特性
    4.3 实际MIS电容器的C(V)特性及应用
    4.4 硅-二氧化硅系统的性质
    4.5 MOS场效应晶体管
    4.6 电荷耦合器件
    第5章 晶格和缺陷
    5.1 晶格
    5.2 空位和间隙原子
    5.3 位错
    5.4 层错
    5.5 相变和相图
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