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半导体材料（第四版）


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半导体材料（第四版）
  • 书号：9787030751911
    作者：张源涛,杨树人,徐颖
  • 外文书名：
  • 装帧：平装
    开本：16
  • 页数：257
    字数：400000
    语种：zh-Hans
  • 出版社：科学出版社
    出版时间：2023-03-01
  • 所属分类：
  • 定价： ￥59.00元
    售价： ￥46.61元
  • 图书介质:
    纸质书

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本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。全书共13章：第1章为硅和锗的化学制备，第2章为区熔提纯，第3章为晶体生长，第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷，第5章为硅外延生长，第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长，第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体，第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，第10章为低维结构半导体材料，第11章为氧化物半导体材料，第12章为宽禁带半导体材料，第13章为其他半导体材料。
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    绪论1
    第1章硅和锗的化学制备4
    1.1硅和锗的物理化学性质4
    1.2高纯硅的制备6
    1.3锗的富集与提纯13
    第2章区熔提纯16
    2.1相图16
    2.2分凝现象与分凝系数25
    2.3区熔原理29
    2.4锗的区熔提纯38
    第3章晶体生长39
    3.1晶体生长理论基础39
    3.2熔体的晶体生长55
    3.3硅、锗单晶生长61
    第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷68
    4.1硅、锗晶体中杂质的性质68
    4.2硅、锗晶体的掺杂71
    4.3硅、锗单晶的位错87
    4.4硅单晶中的微缺陷92
    第5章硅外延生长96
    5.1外延生长概述96
    5.2硅衬底制备98
    5.3硅的气相外延生长102
    5.4硅外延层电阻率的控制113
    5.5硅外延层的缺陷118
    5.6硅的异质外延122
    第6章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体127
    6.1Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性127
    6.2砷化镓单晶的生长方法133
    6.3砷化镓单晶中杂质的控制140
    6.4砷化镓单晶的完整性144
    6.5其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备146
    第7章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长150
    7.1气相外延生长（VPE）150
    7.2金属有机物气相外延生长（MOVPE）153
    7.3液相外延生长（LPE）160
    7.4分子束外延生长（MBE）165
    7.5化学束外延生长（CBE）169
    7.6其他外延生长技术171
    第8章Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体176
    8.1异质结与晶格失配177
    8.2GaAlAs外延生长178
    8.3InGaAsP外延生长182
    第9章Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体187
    9.1Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备187
    9.2Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象193
    9.3Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料196
    第10章低维结构半导体材料201
    10.1低维结构半导体材料的基本特性201
    10.2半导体超晶格与量子阱202
    10.3半导体量子线与量子点211
    10.4低维结构半导体材料的现状及未来215
    第11章氧化物半导体材料217
    11.1氧化物半导体材料的制备217
    11.2氧化物半导体材料的电学性质220
    11.3氧化物半导体材料的应用223
    第12章宽禁带半导体材料228
    12.1Ⅲ族氮化物半导体材料228
    12.2SiC材料237
    第13章其他半导体材料248
    13.1窄带隙半导体248
    13.2黄铜矿型半导体250
    13.3非晶态半导体材料251
    13.4有机半导体材料252
    13.5钙钛矿半导体材料255
    参考文献256
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