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本书针对微波GaN HEMT功率器件的等效电路建模关键技术展开深入研究,特别是器件的热电效应、高低温特性、陷阱效应、谐波特性和高频寄生参数效应,以及工艺参数误差变化特性等目前有待解决的问题。本书从GaN HEMT器件工作机理出发,系统地介绍微波GaN HEMT功率器件发展现状和趋势,以及小信号模型、大信号热电模型、大信号缩放模型、统计模型和表面势模型等面向工程化应用的建模技术,并将该模型应用于大栅宽器件功率电路的输出特性预测与工艺参数分析。
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