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微电子学器件Ⅰ　数字器件和工艺


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微电子学器件Ⅰ　数字器件和工艺
  • 书号：7030018354
    作者：
  • 外文书名：
  • 装帧：
    开本：
  • 页数：0
    字数：262000
    语种：
  • 出版社：科学出版社
    出版时间：
  • 所属分类：TN4 微电子学、集成电路（IC）
  • 定价： ￥12.40元
    售价： ￥9.80元
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内容简介
本书是微电子学讲座第一卷。在这一卷内，作者以支撑微电子学的集成电路技术为中心，较详细地阐述了半导体的基本物理性质，半导体器件的种类和各种半导体器件的工作原理，制造半导体器件和集成电路的材料及工艺技术，典型的双极型和MOS型集成电路的结构，新的Ⅲ-V族半导体和约瑟夫森集成电路等。
本书可供从事半导体器件及集成电路研究和生产的科技人员、高等院校有关专业的师生阅读。
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目录

  • 第一章 微电子学的砥柱——集成电路
    1.1 微电子学的发展
    1.2 大规模集成电路技术的现状
    1.3 微电子学今后的发展
    第二章 半导体的电气特性
    2.1 晶格结构与能带结构
    2.2 载流子
    2.3 载流子的产生与复合
    2.4 强电场效应
    2.5 器件分析的基本方程
    第三章 半导体器件
    3.1 半导体-金属接触和pn结
    3.2 双极晶体管
    3.3 MOS场效应晶体管
    3.4 肖特基栅场效应晶体管
    第四章 半导体器件和集成电路的制造技术
    4.1 集成电路制造技术的基本考虑
    4.2 硅单晶
    4.3 晶体缺陷
    4.4 外延生长
    4.5 硅的氧化与氧化膜的性质
    4.6 化学气相淀积（CVD）法生长薄膜
    4.7 杂质掺杂——扩散和离子注入
    4.8 金属连线
    4.9 光刻工艺
    4.10 图形的刻蚀
    4.11 工艺模拟
    第五章 半导体集成电路的基本结构
    5.1 双极型集成电路的基本结构
    5.2 双极型和MOS型混合的单片集成电路
    5.3 MOS型集成电路的基本结构
    5.4 MOS VLSI的基本结构
    5.5 MOS VLSI的应用
    第六章 Ⅲ-Ⅴ族半导体和约瑟夫森集成电路
    6.1 集成电路用的材料——Ⅲ-Ⅴ族半导体和硅
    6.2 Ⅲ-Ⅴ族半导体的能带结构的设计
    6.3 Ⅲ-Ⅴ族半导体器件
    6.4 Ⅲ-Ⅴ族半导体集成电路
    6.5 约瑟夫森结的物理基础
    6.6 约瑟夫森结电路
    6.7 约瑟夫森集成电路
    参考书
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