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砷化镓的性质


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砷化镓的性质
  • 书号:703001796X
    作者:
  • 外文书名:
  • 丛书名:
  • 装帧:
    开本:
  • 页数:0
    字数:244000
    语种:
  • 出版社:科学出版社
    出版时间:
  • 所属分类:O61 无机化学
  • 定价: ¥13.30元
    售价: ¥10.64元
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内容简介
这是1986年美国出版的砷化镓数据手册,是EMIS丛书之一.内容十分丰富、全面,可供半导体方面的研究和工程技术人员以及高校师生参考.
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目录

  • 第一章 砷化镓的物理和热学性质 J.C.Brice
    1.1 固态GaAs的密度
    1.2 GaAs的晶格参量
    1.3 GaAs的晶格参量与掺杂关系
    1.4 GaAs的体弹性模量
    1.5 GaAs的刚性
    1.6 GaAs的屈服强度
    1.7 GaAs的热膨胀系数与温度关系
    1.8 GaAs的比热
    1.9 GaAs的热导率
    1.10 GaAs的热扩散率
    第二章 砷化镓的电阻率 D Lee.B.J.Sealy
    2.1 半绝缘GaAs的电阻率
    2.2 离子注入GaAs的薄层电阻率
    第三章 砷化镓的载流子浓度 R.S.Bhattacharya,I.H.Goodridge
    3.1 离子注入n型GaAs的载流子浓度
    3.2 离子注入p型GaAs的载流子浓度
    3.3 非掺杂和掺杂外延GaAs的载流子浓度
    第四章 砷化镓中载流子离化率 J.P.R.David
    4.1 砷化镓中载流子离化率与温度的关系
    4.2 砷化镓中载流子离化率与掺杂的关系
    4.3 砷化镓中载流子离化率与电场的关系
    第五章 砷化镓中电子的迁移率、扩散和寿命 D.Lancefield,A.R.Adams,B.J.Sealy,D.R.Wight,K.Duncan,EMIS小组
    5.1 大块GaAs晶体中的电子迁移率
    5.2 大块GaAs晶体中电子迁移率和温度的关系
    5.3 LPE GaAs中的电子迁移率
    5.4 VPE GaAs中的电子迁移率
    5.5 VPE GaAs中电子迁移率与温度的关系
    5.6 VPE GaAs中电子迁移率与掺杂的关系
    5.7 MBE GaAs中的电子迁移率
    5.8 MBE GaAs中电子迁移率与温度的关系
    5.9 MBE GaAs中电子迁移率与掺杂的关系
    5.10 经退火处理的离子注入GaAs中电子迁移率与掺杂的关系
    5.11 GaAs中电子迁移率与压力的关系
    5.12 GaAs中电子有效质量与压力的关系
    5.13 p型GaAs的电子扩散长度和扩散系数
    5.14 p型GaAs的电子寿命
    第六章 砷化镓的空穴迁移率、扩散和寿命 D.R.Wight,D.C.Look,A.R.Adams
    6.1 非掺杂GaAs的空穴迁移率
    6.2 掺杂和离子注入GaAs的空穴迁移率
    6.3 GaAs中空穴迁移率与温度的关系
    6.4 GaAs中空穴迁移率与压力的关系
    6.5 GaAs中空穴的有效质量与压力的关系
    6.6 n型GaAs中空穴的扩散长度和扩散系数
    6.7 n型GaAs中的空穴寿命
    第七章 砷化镓的能带间隙 A.R.Adams,EMIS小组,W.Potz
    7.1 GaAs的直接带隙与温度的关系
    7.2 GaAs的直接带隙与压力关系
    7.3 GaAs中γ点空穴的光学畸变势
    7.4 非晶态GaAs的光学能隙
    第八章 砷化镓的光学函数(复折射率,介电函数和吸收系数) D.E.Aspnes
    8.1 本征GaAs的光学函数:概论
    8.2 本征GaAs的光学函数:静电和红外介电常数
    8.3 本征GaAs的光学函数:余辉区(0—60meV)
    8.4 本征GaAs的光学函数:透明区(0.1—1.4eV)
    8.5 本征GaAs的光学函数:直接带隙区(1.3—1.5eV)
    8.6 本征GaAs的光学函数:可见到近紫外区
    8.7 本征GaAs的光学函数:真空紫外区(上至155eV)
    8.8 本征GaAs的光学函数表:折射率和吸收系数随能量(0—155eV)的变化
    8.9 非本征对GaAs光学函数的影响
    第九章 砷化镓的电学光学性质 D.Robbins
    9.1 GaAs的电学光学系数
    9.2 GaAs的Franz-Keldysh效应参数
    第十章 砷化镓的红外吸收 M.R.Brozel,I.W.Boyd
    10.1 大块GaAs的红外吸收带
    10.2 GaAs的双光子红外吸收系数
    第十一章 GaAs的光电导光谱 R.A.Stradling,D.C.Look
    11.1 半绝缘体GaAs的红外光电导光谱
    11.2 GaAs外延层中浅施主的远红外光电导光谱:概论
    11.3 LPE GaAs中浅施主的远红外光电导光谱
    11.4 VPE GaAs中浅施主的远红外光电导光谱
    11.5 MOCVD GaAs中浅施主的远红外光电导光谱
    11.6 MBE GaAs中浅施主的远红外光电导光谱
    11.7 中子嬗变掺杂GaAs中浅施主的远红外光电导光谱
    第十二章 砷化镓的光致发光谱 B.Hamilton,J.D.Medland,EMIS小组
    12.1 非掺杂半绝缘GaAs的光致发光谱
    12.2 掺Cr半绝缘GaAs的光致发光谱
    12.3 非掺杂LECp型砷化镓的光致发光谱
    12.4 LPE GaAs的光致发光谱
    12.5 VPE GaAs的光致发光谱
    12.6 MOCVD GaAs的光致发光谱
    12.7 MBE GaAs的光致发光谱
    12.8 掺Ⅱ族元素GaAs的光致发光谱
    12.9 掺Ⅳ族元素GaAs的光致发光谱
    12.10 掺Ⅵ族元素GaAs的光致发光谱
    第十三章 砷化镓中缺陷和缺陷的红外映象图 M R.Brozel,,A.R.Peaker,J.Nicholas,H.V.Winston,S.Yosuami,W.Potz
    13.1 用近红外映象图分析非掺杂半绝缘LEC GaAs中的缺陷
    13.2 半绝缘LEC GaAs中的缺陷密度
    13.3 半绝缘LEC GaAs中原生缺陷的结构
    13.4 熔体生长GaAs中的缺陷能级
    13.5 GaAs中与阴离子反位缺陷有关的缺陷能级
    13.6 LPE GaAs中的缺陷能级
    13.7 VPE GaAs中的缺陷能级
    13.8 MOCVD GaAs中的缺陷能级
    13.9 MBE GaAs中的缺陷能级
    13.10 电子辐照GaAs中的缺陷能级
    第十四章 砷化镓中的杂质扩散 B.Tuck
    14.1 GaAs中Cr的扩散
    14.2 GaAs中Mn的扩散
    14.3 GaAs中Zn的扩散
    14.4 GaAs中Si的扩散
    14.5 GaAs中Sn的扩散
    14 6 GaAs中S的扩散
    第十五章 砷化镓的表面结构和氧化 P.J.Dobson,H.L.Hartnagel
    15.1 GaAs的表面结构
    15.2 GaAs的氧化层结构
    15.3 GaAs的氧化速率
    第十六章 砷化镓的腐蚀速率 C.I.H Ashby
    16.1 GaAs的湿法腐蚀速率
    16.2 GaAs的等离子腐蚀速率
    16.3 GaAs的离子束研磨和溅射腐蚀速率
    16.4 GaAs反应离子和反应离子束腐蚀的腐蚀速率
    16.5 GaAs的激光增强腐蚀的腐蚀速率
    第十七章 砷化镓的界面和接触 L.Eaves,C.R.M.Grovenor,G.P.Schwartz,H.H.Wieder,EMIS小组
    17.1 GaAs/Ag界面的结构
    17.2 GaAs/Al界面的结构
    17.3 GaAs/Au界面的结构
    17.4 GaAs Au-Ge界面的结构
    17.5 GaAs/Cu界面的结构
    17.6 GaAs/Ag界面的势垒高度
    17.7 GaAs/Al界面的势垒高度
    17.8 GaAs/Au界面的势垒高度
    17.9 GaAs/Pt界面的势垒高度
    17.10 GaAs/W界面的势垒高度
    17.11 GaAs/介质界面的能带弯曲
    17.12 在GaAs/AlGaAs异质结界面处导带和价带的相对位置
    第十八章 铝镓砷的各种性质 A.R.Peaker,D.Lee,S.Speakman,EMIS小组
    18.1 AlGaAs中的缺陷能级
    18.2 AlGaAs中的DX缺陷中心
    18.3 AlGaAs的光致发光谱
    18.4 AlGaAs的电子迁移率
    18.5 LPE AlGaAs中的载流子浓度
    18.6 MOCVD AlGaAs的载流子浓度
    18.7 MBE AlGaAs的载流子浓度
    18.8 反应离子和反应离子束对AlGaAs的腐蚀速度
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