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Ⅲ族氮化物发光二极管技术及其应用


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Ⅲ族氮化物发光二极管技术及其应用
  • 书号:9787030472649
    作者:李晋闽,王军喜,刘喆
  • 外文书名:
  • 丛书名:
  • 装帧:圆脊精装
    开本:B5
  • 页数:
    字数:
    语种:zh-Hans
  • 出版社:
    出版时间:
  • 所属分类:
  • 定价: ¥568.00元
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本书以作者及其研究团队多年的研究成果为基础,详细介绍了Ⅲ族氮化物发光二极管(LED)的材料外延、芯片制作、器件封装和系统应用,内容集学术性与实用性为一体。全书共12章,内容包括:Ⅲ族氮化物LED的基本原理、材料性质及外延生长理论,InGaN/GaN多量子阱材料及蓝、绿光LED,AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED,Ⅲ族氮化物LED量子效率提升技术、关键制备工艺、封装技术,可靠性分析,LED的应用,以及当前氮化物LED的一些研究前沿和热点。
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    《半导体科学与技术丛书》出版说明
    前言
    第1章绪论1
    参考文献4
    第2章LED的基本原理6
    2.1LED发光原理6
    2.2辐射复合与非辐射复合10
    2.3LED的光学特性与电学特性11
    2.4白光LED原理16
    参考文献18
    第3章Ⅲ族氮化物LED材料的性质与测试19
    3.1Ⅲ族氮化物的晶体结构和能带结构19
    3.2Ⅲ族氮化物材料的极化效应22
    3.3Ⅲ族氮化物LED材料的掺杂24
    3.4Ⅲ族氮化物材料性质测试分析26
    参考文献32
    第4章Ⅲ族氮化物LED材料的外延生长33
    4.1外延生长基本模式33
    4.2Ⅲ族氮化物LED外延生长的衬底35
    4.3Ⅲ族氮化物LED外延技术37
    4.4MOCVD生长氮化物材料的两步生长法45
    4.5Ⅲ族氮化物材料外延层生长条件对材料质量的影响49
    4.6SiC衬底上高质量GaN的外延技术58
    参考文献64
    第5章InGaN/GaN多量子阱材料及蓝、绿光LED66
    5.1InGaN材料体系简介66
    5.2InGaN/GaN多量子阱材料中的极化效应67
    5.3量子限制斯塔克效应72
    5.4InGaN/GaN多量子阱中的载流子局域化74
    5.5绿光LED及非极性、半极性LED76
    参考文献81
    第6章AlGaN基多量子阱材料及紫外LED84
    6.1AlGaN材料体系简介85
    6.2AlGaN材料的光学特性和电学特性86
    6.3AlGaN材料外延生长和掺杂技术88
    6.4紫外LED的结构设计及制备93
    参考文献98
    第7章Ⅲ族氮化物LED量子效率提升技术101
    7.1LED的三种结构101
    7.2内部量子效率提升技术104
    7.3光取出效率提升技术114
    7.4电流注入效率提升技术128
    7.5Droop效应137
    参考文献142
    第8章Ⅲ族氮化物LED的关键制备工艺144
    8.1Ⅲ族氮化物LED制备工艺流程144
    8.2光刻工艺145
    8.3刻蚀工艺149
    8.4蒸发和溅射152
    8.5欧姆接触153
    8.6倒装结构LED的关键工艺158
    8.7垂直结构LED的关键工艺160
    8.8交流/高压LED的关键工艺166
    参考文献171
    第9章Ⅲ族氮化物LED的封装173
    9.1Ⅲ族氮化物LED封装材料173
    9.2Ⅲ族氮化物LED封装工艺177
    9.3LED封装技术180
    9.4封装及系统散热技术185
    9.5封装形式的发展趋势187
    参考文献187
    第10章Ⅲ族氮化物LED器件的可靠性分析189
    10.1失效模式和失效分析189
    10.2LED老化测试和老化机制198
    10.3LED系统可靠性202
    参考文献209
    第11章LED的应用211
    11.1新型光环境技术211
    11.2可见光通信应用系统214
    11.3LED显示217
    11.4植物照明应用223
    11.5医疗应用229
    参考文献230
    第12章新型氮化物LED技术232
    12.1GaN基纳米柱LED232
    12.2量子点LED243
    12.3表面等离激元增强GaN基LED247
    12.4GaN基偏振光LED254
    参考文献261
    索引263
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