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本书系统地介绍了物理气相输运（PVT）法碳化硅晶体生长与缺陷研究方面的工作，由碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的PVT法生长、气相组分SimCn和碳化硅晶体的生长机制、碳化硅晶体的结晶缺陷四部分组成。本书从碳化硅晶体结构出发，把气相组分作为贯穿生长原料分解升华、系统中的质量／能量输运、生长界面的结晶过程、晶体中缺陷的繁衍与发育等的一条主线，从而使读者对PVT法碳化硅晶体生长的复杂系统和过程有一个全面的、深入的认识和理解。

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  前言
  1　碳化硅晶体的多型结构与表征
  1 1.1　晶体的多型　
  4　1.2　碳化硅晶体的结构层与基本结构单元
  7　1.3　碳化硅晶体多型的共生与连生
  9　1.4　3C-SiC多型的结构
  10　1.5　2H-SiC多型的结构
  12　1.6　4H-SiC多型的结构
  14　1.7　6H-SiC多型的结构
  15　1.8　15R-SiC多型的结构
  16　1.9　碳化硅晶体多型结构参数的变化
  17　1.10　碳化硅晶体多型结构鉴别概述
  18　1.11　X射线衍射法鉴别碳化硅晶体多型结构
  27　1.12　高分辨率透射电子显微镜法鉴别碳化硅晶体多型结构
  31　1.13　吸收光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构
  37　1.14　拉曼光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构
  53　符号说明和注解　
  2　碳化硅晶体的物理气相输运（PVT）法生长
  75　2.1　桂-碳二元体系和桂-碳-金属元素三元体系的相图
  79　2.2　固态碳化硅分解升华的热力学研究
  84　2.3　PVT法碳化硅晶体生长技术的发展历程
  89　2.4　PVT法碳化硅晶体生长系统概述
  96　2.5　PVT法碳化硅晶体生长模型研究
  108　2.6　PVT法碳化硅晶体生长系统的可控变量与间接变量
  115　2.7　PVT法碳化硅晶体生长系统变量之间的强耦合
  123　2.8　生长原料区温度场和碳化硅粉体的演变
  133　2.9　石墨坩埚生长腔内温度场的演变
  140　符号说明和注解　
  3　气相组分和碳化硅晶体的生长机制
  175　3.1　气相组分概述
  184　3.2　PVT法碳化硅晶体生长的螺旋位错机制
  203　3.3　气相组分在PVT法碳化硅晶体生长研究中的地位
  214　3.4　纯硅气相组分Sim的稳定构型与能量
  219　3.5　纯碳气相组分Cn的稳定构型与能量
  222　3.6　硅碳气相组分SimCn的稳定构型与能量
  230　3.7　气相组分SimCn构型的转变
  236　3.8　气相组分SimCn的化学序
  244　3.9　气相组分SimCn的相互作用
  249　3.10　气相组分SimCn在生长界面上的结晶　
  260　符号说明和注解　
  4　碳化硅晶体的结晶缺陷
  277　4.1　碳化硅晶体结晶缺陷概述
  281　4.2　碳化硅晶片结晶质量的整体评价
  291　4.3　碳化硅晶片几何特性和表面加工质量的整体评价
  297　4.4　多型共生缺陷
  307　4.5　镶嵌结构缺陷
  322　4.6　堆垛层错
  341　4.7　孔道与微管道
  346　符号说明和注解　
  后记