本书的内容包括：CMOSVLSI电路设计的技术趋势；半导体制造技术；光刻技术；工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模；面向可制造性的物理设计技术；测量、制造缺陷和缺陷提取；缺陷影响的建模和合格率提高技术；物理设计和可靠性；DFM工具和DFM方法。
样章试读
目录
第1章 绪 论 1
1.1 技术趋势:延续摩尔定律 1
1.1.1 器件的改进 3
1.1.2 材料科学的贡献 6
1.1.3 深亚波长光刻 9
1.2 可制造性设计 13
1.2.1 DF M的经济价值 13
1.2.2 偏 差 15
1.2.3 对基于模型的 DF M方法的需求 20
1.3 可靠性设计 20
1.4 小 结 21
参考文献 22
第2章 半导体制造 25
2.1 概 述 25
2.2 图形生成工艺 26
2.2.1 光 刻 26
2.2.2 刻蚀技术 30
2.3 光学图形生成 33
2.3.1 照明系统 33
2.3.2 衍 射 36
2.3.3 成像透镜系统 39
2.3.4 曝光系统 42
2.3.5 空间像与缩小成像 43
2.3.6 光刻胶图形生成 44
2.3.7 部分相干 46
2.4 光刻建模 48
2.4.1 唯象建模 49
2.4.2 光刻胶的完全物理建模 51
2.5 小 结 52
参考文献 53
第3章 工艺和器件偏差:分析与建模 55
3.1 概 述 55
3.2 栅极长度偏差 61
3.2.1 光刻导致的图形化偏差 61
3.2.2 线边缘粗糙度:理论与特性 72
3.3 栅极宽度偏差 75
3.4 原子的波动 77
3.5 金属和电介质厚度偏差 79
3.6 应力引起的偏差 83
3.7 小 结 86
参考文献 86
第4章 面向制造的物理设计 91
4.1 概 述 91
4.2 光刻工艺窗口的控制 96
4.3 分辨率增强技术 100
4.3.1 光学邻近效应修正 101
4.3.2 亚分辨率辅助图形 105
4.3.3 相移掩膜 106
4.3.4 离轴照明 110
4.4 DF M的物理设计 112
4.4.1 几何设计规则 113
4.4.2 受限设计规则 113
4.4.3 基于模型的规则检查和适印性验证 114
4.4.4 面向可制造性的标准单元设计 117
4.4.5 减小天线效应 122
4.4.6 DF M的布局与布线 123
4.5 高级光刻技术 126
4.5.1 双重图形光刻 127
4.5.2 逆向光刻 133
4.5.3 其他高级技术 136
4.6 小 结 137
参考文献 137
第5章 计量?制造缺陷以及缺陷提取 141
5.1 概 述 141
5.2 工艺所致的缺陷 144
5.2.1 误差来源的分类 145
5.2.2 缺陷的相互作用及其电效应 147
5.2.3 粒子缺陷建模 149
5.2.4 改善关键区域的版图方法 156
5.3 图形所致缺陷 157
5.3.1 图形所致缺陷类型 158
5.3.2 图形密度问题 159
5.3.3 图形化缺陷建模的统计学方法 160
5.3.4 减少图形化缺陷的版图方法 165
5.4 计量方法 167
5.4.1 测量的精度和容限 168
5.4.2 CD计量 169
5.4.3 覆盖计量 174
5.4.4 其他在线测量 177
5.4.5 原位计量 178
5.5 失效分析技术 178
5.5.1 无损测试技术 180
5.5.2 有损测试技术 182
5.6 小 结 183
参考文献 183
第6章 缺陷影响的建模以及成品率提高技术 187
6.1 概 述 187
6.2 缺陷对电路行为影响的建模 188
6.2.1 缺陷和故障的关系 190
6.2.2 缺陷‐故障模型的作用 191
6.2.3 测试流程 199
6.3 成品率提高 200
6.3.1 容错技术 202
6.3.2 避错技术 213
6.4 小 结 217
参考文献 217
第7章 物理设计和可靠性 221
7.1 概 述 221
7.2 电迁移 224
7.3 热载流子效应 227
7.3.1 热载流子注入机制 228
7.3.2 器件损坏特性 230
7.3.3 经时介电击穿 231
7.3.4 缓解 HCI引起的退化 231
7.4 负偏压温度不稳定性 233
7.4.1 反应‐扩散模型 233
7.4.2 静态和动态 NBTI 234
7.4.3 设计技术 236
7.5 静电放电 237
7.6 软错误 239
7.6.1 软错误的类型 239
7.6.2 软错误率 240
7.6.3 面向可靠性的 SER缓解与修正 240
7.7 可靠性筛选与测试 240
7.8 小 结 241
参考文献 242
第8章 可制造性设计:工具和方法学 245
8.1 概 述 245
8.2 IC设计流程中的 DFx 246
8.2.1 标准单元设计 247
8.2.2 库特征化 248
8.2.3 布局?布线与虚拟填充 249
8.2.4 验证?掩膜综合与检测 250
8.2.5 工艺和器件仿真 251
8.3 电气 DF M 251
8.4 统计设计与投资回报率 252
8.5 优化工具的 DF M 254
8.6 面向 DF M的可靠性分析 257
8.7 未来技术节点的 DFx 257
8.8 结束语 259
参考文献 259]]>
京公网安备 11010102004214号