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金属有机化合物气相外延基础及应用


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金属有机化合物气相外延基础及应用
  • 书号：9787030238450
    作者：陆大成
  • 外文书名：
  • 装帧：平装
    开本：B5
  • 页数：376
    字数：457000
    语种：中文
  • 出版社：科学出版社
    出版时间：2009-05
  • 所属分类：
  • 定价： ￥128.00元
    售价： ￥128.00元
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　　金属有机化合物气相处延（MOVPE）技术是制备化合物半导体异质结、低维结构材料，以及生产化合物半导体光电子、微电子器件的重要方法。本书是国内第一本全面系统地介绍MOVPE的专著，从理论和实践两个方面分别论述了该技术的生长系统和原材料特性等实验基础、MOVPE生长热力学、化学反应动力学和输运现象等理论基础。在此基础上系统介绍了Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料生长及其量子阱、量子点等低维结构的MOVPE生长，以及在光电器件和电子器件方面的应用。书中附有大量参考文献，以便读者进一步参考。
　　本书可供从事半导体科研和生产的科研人员、大专院校教师和研究生使用。
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  • 前言
    第1章 绪论
    1.1 外延生长
    1.2 MOVPE概述
    第1章参考文献
    第2章 MOVPE 生长系统
    2.1 MOVPE气体输运分系统
    2.2 MOVPE生长反应室分系统
    2.3 MOVPE尾气处理分系统
    2.4 MOVPE生长控制装置分系统
    2.5 MOVPE外延层生长的原位监测
    第2章参考文献
    第3章 原材料
    3.1 金属有机化合物源
    3.2 氢化物源
    第3章参考文献
    第4章 MOVPE的热力学分析
    4.1 外延生长速度的限制机构
    4.2 MOVPE生长的固溶体固相成分与气相成分关系
    4.3 MOVPE生长相图与单凝聚相生长区
    4.4 掺杂
    第4章参考文献
    第5章 MOVPE化学反应动力学和质量输运
    5.1 MOVPE化学反应动力学
    5.2 MOVPE反应室内的输运现象与模型化
    5.3 MOVPE化学反应-输运模型的应用
    第5章参考文献
    第6章 MOVPE的表面过程
    6.1 表面成核
    6.2 外延生长模式
    6.3 MOVPE环境下的表面再构
    6.4 表面活性剂
    第6章参考文献
    第7章 III-V族半导体材料的MOVPE生长
    7.1 GaAs及其固溶体的MOVPE生长
    7.2 InP、GaP及其有关化合物的MOVPE生长
    7.3 锑化物的MOVPE生长
    7.4 氮化物的MOVPE生长
    7.5 选择外延生长和非平面衬底上的外延生长
    7.6 Si、Ge上III-V 族半导体的MOVPE生长
    第7章参考文献
    第8章 II-VI 族半导体材料的MOVPE生长
    8.1 ZnSe及其有关化合物的MOVPE生长
    8.2 ZnO及其固溶体的MOVPE生长
    8.3 HgCdTe的MOVPE生长
    第8章参考文献
    第9章 低维半导体材料的MOVPE生长
    9.1 量子阱结构的MOVPE生长
    9.2 量子点和量子线结构的生长
    第9章参考文献
    第10章 MOVPE技术在半导体器件方面的应用
    10.1 发光二极管
    10.2 激光器
    10.3 太阳能电池
    10.4 半导体光探测器
    10.5 高电子迁移率场效应晶体管
    10.6 异质结双极晶体管
    10.7 光电集成电路
    第10章参考文献
    后记
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