0去购物车结算
购物车中还没有商品,赶紧选购吧!
当前位置: 图书分类 > 物理 > 凝聚态物理 > 阻变存储器材料与器件

浏览历史

阻变存储器材料与器件


联系编辑
 
标题:
 
内容:
 
联系方式:
 
  
阻变存储器材料与器件
  • 书号:9787030419057
    作者:潘峰,陈超
  • 外文书名:
  • 装帧:圆脊精装
    开本:B5
  • 页数:381
    字数:481000
    语种:
  • 出版社:科学出版社
    出版时间:2014-09-01
  • 所属分类:
  • 定价: ¥148.00元
    售价: ¥116.92元
  • 图书介质:
    按需印刷 电子书

  • 购买数量: 件  缺货,请选择其他介质图书!
  • 商品总价:

相同系列
全选

内容介绍

样章试读

用户评论

全部咨询

本书对近年来材料、微电子、信息、物理等领域共同关注的非易失性存储器——阻变存储器的材料、结构、性能、集成及应用等方面进行了较系统的介绍。全书共7章,第1章为绪论,概述了存储器类型与发展历程;第2章为阻变存储器基础;第3章为阻变存储器的材料体系及制备方法;第4章为阻变存储器的电阻转变机理,重点阐述了金属导电细丝型、氧空位导电细丝型、界面势垒调节型、缺陷俘获释放型、电致热化学转变型等各类阻变存储器的电阻转变特性与机制;第5章为阻变存储器的性能优化,讨论了性能优化的各种途径;第6章为阻变存储器的集成结构,对十字交叉阵列的阻变存储器中串扰电流的抑制方法进行了诠释;第7章为电阻转变效应的其他应用。
样章试读
  • 暂时还没有任何用户评论
总计 0 个记录,共 1 页。 第一页 上一页 下一页 最末页

全部咨询(共0条问答)

  • 暂时还没有任何用户咨询内容
总计 0 个记录,共 1 页。 第一页 上一页 下一页 最末页
用户名: 匿名用户
E-mail:
咨询内容:

目录

  • 目录
    前言
    第1章 绪论 1
    1.1 存储器概 3
    1.1.1 易失性存储器 3
    1.1.2 非易失性存储器 4
    1.2 新型非易失性存储器的研究进展 6
    1.2.1 铁电随机存储器 6
    1.2.2 磁阻随机存储器 7
    1.2.3 贼存储器 8
    1.2.4 阻变存储器 9
    参考文献 9
    第2章 阻变存储器基础 12
    2.1 电阻转变效应简介 12
    2.2 电阻转变效应的应用领域 14
    2.2.1 阻变随机存储器 14
    2.2.2 可编程逻辑电路 14
    2.2.3 人工神经网络模拟 15
    2.3 阻变存储器的基本结构 15
    2.4 阻变存储器的性能参数 16
    2.5 阻变存储器的发展历程与研究现状 18
    参考文献 21
    第3章 阻变存储器的材料体系及制备方法 23
    3.1 阻变介质材料 23
    3.1.1 介质材料概述 23
    3.1.2 二元氧化物 25
    3.1.3 三元及多元氧化物 29
    3.1.4 硫族固态电解质 30
    3.1.5 其他无机材料 31
    3.1.6 有机介质材料 32
    3.2 电极材料 34
    参考文献 35
    第4章 阻变存储器的电阻转变机理 40
    4.1 金属导电细丝型阻变存储器 40
    4.1.1 基本特征 40
    4.1.2 金属导电细丝型阻变存储器的材料体系 42
    4.1.3 金属导电细丝的表征 82
    4.1.4 导电细丝的形状和生长方向 93
    4.1.5 导电细丝型阻变存储器的小型化潜力 102
    4.2 氧空位导电细丝型阻变存储器 103
    4.2.1 基本特征 103
    4.2.2 典型的氧空位导电细丝型阻变存储器 105
    4.2.3 电初始化过程 138
    4.2.4 电极与界面的影响 146
    4.3 界面势垒调节型阻变存储器 148
    4.3.1 基本特征 148
    4.3.2 接触电阻的本质 149
    4.3.3 耗尽层宽度的变化 151
    4.3.4 电阻转变区域 151
    4.3.5 氧空位的作用 153
    4.4 电荷俘获释放型阻变存储器 155
    4.4.1 基本特征 155
    4.4.2 界面陷阱型 156
    4.4.3 纳米插入层陷阱型 157
    4.4.4 均匀分布陷阱型 164
    4.5 电致热化学转变型阻变存储器 166
    4.5.1 氧化物中的热化学转变 167
    4.5.2 有机物中的热化学转变 170
    4.6 其他类型的阻变存储器 171
    4.6.1 无机物中独特的电阻转变类型 171
    4.6.2 有机物中独特的电阻转变类型 174
    参考文献 176
    第5章 阻变存储器的性能优化 188
    5.1 介质材料的掺杂改性 188
    5.1.1 氧化物阻变存储器的掺杂改性 189
    5.1.2 氮化物阻变存储器的掺杂改性 202
    5.2 电极工程 210
    5.2.1 氧离子迁移型器件的电极优化 210
    5.2.2 电极的合金化 223
    5.2.3 电极界面形貌的修饰 226
    5.3 界面工程 228
    5.3.1 金属插入层对界面的调控 228
    5.3.2 氧化物插入层对界面的调控 230
    5.3.3 其他功能层对界面的调控 232
    5.4 多值存储与量子导电 234
    5.4.1 不同电阻转变机制耦合导致的多值存储 235
    5.4.2 调控导电细丝形态获得的多值存储 241
    5.4.3 量子导电行为 244
    5.5 器件结构和外围电路优化 253
    5.5.1 十字交叉阵列的边缘效应 253
    5.5.2 三维存储 255
    5.5.3 外围电路优化 259
    参考文献 260
    第6章 阻变存储器的集成结构 266
    6.1 二极管-电阻器(1D1R)结构 268
    6.2 自整流阻变存储器结构 271
    6.2.1 自整流阻变存储器概述 271
    6.2.2 SiOx基自整流阻变存储器 273
    6.2.3 ZnO基自整流阻变存储器 277
    6.2.4 自整流阻变器件在十字交叉阵列中的验证 285
    6.3 互补型阻变存储器结构 286
    6.3.1 互补型阻变存储器概述 286
    6.3.2 电极材料对互补型电阻转变特性的影响 290
    6.3.3 互补型阻变存储器的结构简化 298
    6.3.4 三明治结构中的互补型电阻转变 312
    6.4 选通管-电阻器(1S1R)结构 313
    6.4.1 双向选通管器件概述 313
    6.4.21 S1R集成结构的应用实例 315
    参考文献 319
    第7章 电阻转变效应的其他应用 323
    7.1 神经突触模拟与仿生 323
    7.1.1 神经突触简介 324
    7.1.2 电阻转变器件模拟神经突触 325
    7.1.3 基于InGaZnO材料的神经突触模拟 329
    7.1.4 PEDOT:PSS导电行为的调控与神经突触模拟 338
    7.2 电阻转变行为与其他物理现象的親合 349
    7.2.1 电阻转变效应对磁性的调制 350
    7.2.2 电阻转变效应与光电效应的耦合 365
    7.2.3 电阻转变器件的超导特性 368
    7.3 逻辑电路应用 370
    7.3.1 FPGA中的可重构开关 371
    7.3.2 基于阻变器件的逻辑门 372
    7.3.3 实质蕴涵逻辑门 374
    参考文献 377
帮助中心
公司简介
联系我们
常见问题
新手上路
发票制度
积分说明
购物指南
配送方式
配送时间及费用
配送查询说明
配送范围
快递查询
售后服务
退换货说明
退换货流程
投诉或建议
版权声明
经营资质
营业执照
出版社经营许可证