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半导体器件物理学习与考研指导


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半导体器件物理学习与考研指导
  • 书号:9787030267399
    作者:孟庆巨,孙彦峰
  • 外文书名:
  • 丛书名:普通高等教育电子科学与技术类特色专业系列规划教材
  • 装帧:平装
    开本:B5
  • 页数:208
    字数:270000
    语种:zh-Hans
  • 出版社:科学出版社
    出版时间:2010-02-01
  • 所属分类:TN3 半导体技术
  • 定价: ¥49.00元
    售价: ¥39.20元
  • 图书介质:
    纸质书

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本书是普通高等教育“十一五”国家级规划教材《半导体器件物理(第二版)》(孟庆巨、刘海波、孟庆辉等编著)的配套教学辅导资料。全书共分为11章,内容包括:半导体物理基础、PN 结、双极结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导体太阳电池和光电二极管、发光二极管和半导体激光器。书末还给出了近几年吉林大学“微电子学与固体电子学”国家重点学科研究生入学考试试题及参考答案。
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    丛书序
    前言
    第1章 半导体物理基础 1
    1.1知识点归纳 1
    1.载流了的统计分布 1
    2.电荷输运现象 3
    3.非均匀半导体中的内建场 4
    4.准费米能级 5
    5.复合机制 6
    6.表面复合和表面复合速度 6
    7.半导体中的基本控制方程 7
    1.2习题解答 8
    第2章 PN结 19
    2.1知识点归纳 19
    1.热平衡PN结 19
    2.偏压的PN结 19
    3.理想PN结二极管的直流电流电压特性 20
    4.空间电荷区复合电流和产生电流 21
    5.隧道电流 21
    6.温度对PN结I-V特性的影响 22
    7.耗尽层电容、求杂质分布和变容二极管 22
    8.PN结二极管的频率特性 23
    9.PN结二极管的开关特性 24
    10.PN结击穿 25
    2.2基本概念与问题 26
    2.3理论推导与命题证明 28
    2.4图表解析与应用 38
    2.5习题解答 40
    第3章 双极结型晶体管 61
    3.1知识点归纳 61
    1.基本工作原理(以NPN型为例) 61
    2.理想双极结型晶体管中的电流传输 62
    3.埃伯斯莫尔(Ebers-MoII)方程 64
    4.缓变基区晶体管(Gummel-Poon模型) 66
    5.基区扩展电阻和电流集聚效应 67
    6.基区宽度调变效应 67
    7.品体管的频率响应 67
    8.混接π模型等效电路 68
    9.晶体管的开关特性 69
    10.反向电流和击穿电压 69
    3.2基本概念与问题 69
    3.3理论推导与命题证明 71
    3.4图表解析与应用 74
    3.5习题解答 77
    第4章 金属-半导体结 91
    4.1知识点归纳 91
    1.肖特基势垒 91
    2.界面态对势垒高度的影响 92
    3.镜像力对势垒高度的影响 92
    4.肖特基势垒二极管的电流电压特性 92
    5.金属-绝缘体-半导体肖特基二极管 93
    6.肖特基势二极管和PN结二极管之间的比较 93
    7.欧姆接触非整流的M-S结 94
    4.2基本概念与问题 94
    4.3理论推导与命题证明 95
    4.4图表解析与座用 98
    4.5习题解答 100
    第5章 结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管 107
    5.1知识点归纳 107
    1.理想JFET的I-V特性 107
    2.静态特性 108
    3.小信号参数和等效电路 109
    4.JFET的最高工作频率 110
    5.沟道长度调制效应 110
    6.金属半导体场效应品体管 110
    7 JFET和MESFET的类型 110
    5.2基本概念与问题 111
    5.3 理论推导与命题证明 112
    5.4 图表解析与应用 113
    5.5 习题解答 114
    第6章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 121
    6.1 知识点归纳 121
    1.理想MOS结构的表面空间电荷区 121
    2.理想MOS电容器 122
    3.沟道电导与阈值电压 123
    4.实际MOS的电容-电压特性和阈值电压 123
    5.MOS场效应品体管的I-V特性 124
    6.等效电路和频率响应 125
    7.MOS场效应晶体管的类型 126
    8.孤阈值区 126
    9.影响阈值电压的其余因素 126
    10.器件的小型化 127
    6.2基本概念与问题 127
    6.3理论推导与命题证明 129
    6.4图表解析与应用 132
    6.5习题解答 133
    第7章 电荷转移器件 143
    7.1知识点归纳 143
    1.深耗尽状态和表面势阱 143
    2.MOS电容的瞬态特性 143
    3.信息电荷的输运、传输效率 144
    4.埋沟CCD(BCCD) 144
    5.信息电椅的注入和检测 145
    6.集成斗链器件 145
    7.电荷耦合图像器 145
    7.2 基本概念与问题 146
    7.3 理论推导与命题证明 147
    7.4 图表解析与应用 150
    7.5 习题解答 150
    第8章 半导体太阳电池和光电二极管 157
    8.1知识点归纳 157
    1.PN结的光生伏打效应 157
    2.太阳电池的I-V特性 157
    3.太阳电池的效率 158
    4.光产生电流与收集效率 158
    5.提高太阳电池效率的措施 159
    6.肖特基势垒和MIS太阳电池 159
    7.光电二极管 159
    8.PIN光电二极管 159
    9.光电二极管的特性参数 160
    8.2基本概念与问题 160
    8.3理论推导与命题证明 164
    8.4图表解析与应用 165
    8.5习题解答 165
    第9章 发光二极管和半导体激光器 175
    9.1知识点归纳 175
    1.辐射复合与非辐射复合 175
    2.LED的基本结构和工作原理 175
    3.LED的特性参数 176
    4.几类重要的LED 176
    9.2基本概念与问题 179
    9.3理论推导与命题证明 182
    9.4图表解析与应用 183
    9.5习题解答 183
    第10章 吉林大学硕士研究生入学考试“半导体器件物理”试题 187
    2006年试题 187
    2007年试题 188
    2008年试题 189
    2009年试题 190
    第11章 吉林大学硕士研究生入学考试“半导体器件物理”试题参考答案 193
    2006年试题参考答案 193
    2007年试题参考答案 197
    2008年试题参考答案 200
    2009年试题参考答案 204
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