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半导体器件完全指南


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半导体器件完全指南
  • 书号:9787030246998
    作者:李秋俊 等
  • 外文书名:Complete Guide to Semiconductor Devices
  • 装帧:平装
    开本:A5
  • 页数:736
    字数:900000
    语种:中文
  • 出版社:科学出版社
    出版时间:2009-07
  • 所属分类:TN3 半导体技术
  • 定价: ¥88.00元
    售价: ¥69.52元
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  本书全面介绍了从第一只电阻器出现至今的200多种半导体器件,并对每种器件的背景知识、结构、原理及应用做了完整的概述。器件类型不仅包括早期或已淘汰的器件,更包括新近的量子器件;不仅包括通用器件,还包括专用器件等。并且在附录中收录了一些最基本的器件物理知识。本书的编排可以让广大读者快速了解各类半导体器件,同时也可就某一类器件展开深入的学习与研究。本书具有如下特点:收录最全;反映最新器件研究水平;编排独特。
  本书是微电子学、电子科学与技术、材料学等专业的高校师生和从业工程师等在理论学习、科学研究以及实际工作中必备的教科书和参考书。
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  • Handy ( 2022-05-17 19:59:38 )

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目录

  • 再版前言
    前言
    引言
    二极管I:整流器
    第1章 p-n结二极管
    1.1 历史
    1.2 结构
    1.3 特性
    1.4 应用
    1.5 相关器件
    1.5.1 齐纳二极管
    1.5.2 阶跃恢复二极管
    1.5.3 异型异质结
    1.5.4 变容二极管
    第2章 p-i-n二极管
    第3章 肖特基势垒二极管
    3.5.1 莫特势垒
    3.5.2 金属-绝缘体-半导体隧道二极管
    第4章 平面掺杂势垒二极管
    4.5.1 双峰式二极管
    4.5.2 平面掺杂势垒场效应晶体管
    第5章 同型异质结
    5.5.1 缓变结构势垒
    二极管II:负阻 N形
    第6章 隧道二极管
    6.5.1 反向二极管
    第7章 转移电子器件
    第8章 共振隧穿二极管
    8.5.1 共振隧穿场效应晶体管
    第9章 共振带间隧穿二极管
    第10章 单势垒隧道二极管
    第11章 单势垒带间隧穿二极管
    第12章 实空间转移二极管
    二极管III:负阻效应 S形
    第13章 金属-绝缘体-半导体开关
    13.5.1 金属-绝缘体-半导体-金属开关
    13.5.2 金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属开关
    第14章 平面掺杂势垒开关
    14.5.1 多晶硅-n-p开关
    14.5.2 双异质结构光电子开关
    第15章 无定形半导体阈值开关
    15.5.1 无定形半导体存储开关
    第16章 异质结构热电子二极管
    二极管IV:负阻 渡越时间
    第17章 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
    17.5.1 俘获等离子体雪崩触发渡越二极管
    17.5.2 双速雪崩渡越时间二极管
    17.5.3 混合隧道雪崩渡越时间二极管
    第18章 势垒注入渡越时间二极管
    18.5.1 双速渡越时间二极管
    18.5.2 隧道注入渡越时间二极管
    18.5.3 量子阱注入渡越时间二极管
    电阻和电容器件
    第19章 电阻器
    19.5.1 变阻器
    19.5.2 电势计
    19.5.3 n-i-n二极管
    第20章 金属-氧化物-半导体电容器
    20.5.1 金属-绝缘体-半导体电容器
    20.5.2 平板电容器
    第21章 电荷耦合器件
    21.5.1 埋沟电荷耦合器件
    21.5.2 蠕动电荷耦合器件
    21.5.3 成型蠕动式电荷耦合器件
    21.5.4 戽链器件
    晶体管I:场效应
    第22章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管
    22.5.1 双扩散金属-氧化物-半导体晶体管
    22.5.2 横向扩散金属-氧化物-半导体晶体管
    22.5.3 六角形场效应晶体管
    22.5.4 V形槽(或纵向)金属-氧化物-半导体晶体管
    22.5.5 U形槽金属-氧化物-半导体晶体管
    22.5.6 薄膜晶体管
    22.5.7 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管
    22.5.8 压敏场效应晶体管
    第23章 结型场效应晶体管
    23.5.1 V形槽场效应晶体管
    第24章 金属-半导体场效应晶体管
    第25章 调制掺杂场效应晶体管
    25.5.1 倒置异质结场效应晶体管
    25.5.2 平面掺杂异质结场效应晶体管
    25.5.3 单量子阱异质结场效应晶体管
    25.5.4 超晶格异质结场效应晶体管
    25.5.5 赝异质结场效应晶体管
    25.5.6 异质结绝缘栅场效应晶体管
    25.5.7 半导体-绝缘体-半导体场效应晶体管
    25.5.8 掺杂沟道异质结场效应晶体管
    第26章 可渗基区晶体管
    第27章 静电感应晶体管
    第28章 实空间转移晶体管
    第29章 平面掺杂场效应晶体管
    第30章 表面隧道晶体管
    30.5.1 肖特基隧道晶体管
    第31章 横向共振隧穿场效应晶体管
    第32章 斯塔克效应晶体管
    第33章 速度调制晶体管
    晶体管II:电势效应
    第34章 双极型晶体管
    34.5.1 异质结双极型晶体管
    34.5.2 达林顿放大器
    34.5.3 隧穿发射极双极型晶体管
    第35章 隧穿热电子转移放大器
    第36章 金属基极晶体管
    第37章 双极反型沟道场效应晶体管
    37.5.1 体势垒晶体管
    第38章 隧道发射极晶体管
    38.5.1 表面氧化物晶体管
    第39章 平面掺杂势垒晶体管
    39.5.1 双峰式晶体管
    第40章 异质结热电子晶体管
    第41章 感应基区晶体管
    第42章 共振隧穿双极晶体管
    第43章 共振隧穿热电子晶体管
    第44章 量子阱基区共振隧穿晶体管
    第45章 自旋阀晶体管
    非易失性存储器
    第46章 浮栅雪崩注入金属-氧化物-半导体晶体管
    46.5.1 浮栅隧道氧化物晶体管
    第47章 金属-氮化物-氧化物-半导体晶体管
    47.5.1 金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体晶体管
    47.5.2 铁电场效应晶体管
    晶闸管和功率器件
    第48章 可控硅整流器
    48.5.1 门极辅助关断晶闸管
    48.5.2 门极关断晶闸管
    48.5.3 非对称晶闸管
    48.5.4 反向导通晶闸管
    48.5.5 转折二极管
    48.5.6 二极管交流开关
    48.5.7 三极管交流开关
    48.5.8 光敏晶闸管
    48.5.9 可编程单结晶体管
    48.5.10 可控硅开关
    48.5.11 硅单向开关
    48.5.12 硅双向开关
    48.5.13 MOS控制晶闸管
    第49章 绝缘栅双极型晶体管
    第50章 静电感应晶闸管
    第51章 单结晶体管
    光电子器件I:光源
    第52章 发光二极管
    52.5.1 超发光二极管
    52.5.2 量子阱发光二极管
    52.5.3 超晶格发光二极管
    52.5.4 共振隧穿发光二极管
    52.5.5 量子点发光二极管
    第53章 注入式激光器
    53.5.1 异质结激光器
    53.5.2 大光腔激光器
    53.5.3 分别限制异质结激光器
    53.5.4 量子阱激光器
    53.5.5 超晶格激光器
    53.5.6 解理耦合腔激光器
    53.5.7 分布反馈激光器
    53.5.8 垂直腔面发射激光器
    53.5.9 量子级联激光器
    53.5.10 量子点激光器
    53.5.11 半导体光放大器
    光电子器件II:光电探测器
    第54章 光电导元件
    54.5.1 光电磁探测器
    54.5.2 自由载流子光电导元件
    54.5.3 普特来探测器
    54.5.4 丹倍效应探测器
    第55章 p-i-n光电二极管
    55.5.1 p-n结光电二极管
    55.5.2 核辐射探测器
    第56章 肖特基势垒光电二极管
    56.5.1 异质结内光电发射探测器
    第57章 电荷耦合图像传感器
    57.5.1 电荷注入器件
    第58章 雪崩光电二极管
    58.5.1 吸收区、倍增区分置雪崩光电二极管
    58.5.2 超晶格雪崩光电二极管
    58.5.3 台阶雪崩光电二极管
    第59章 光电晶体管
    59.5.1 达林顿光电晶体管
    59.5.2 雪崩光电晶体管
    59.5.3 光敏场效应晶体管
    59.5.4 体势垒光电晶体管
    59.5.5 静电感应光电晶体管
    59.5.6 隧道发射极光电晶体管
    第60章 金属-半导体-金属光电探测器
    第61章 量子阱红外光电探测器
    第62章 量子点红外光电探测器
    第63章 阻挡杂质带光电探测器
    第64章 负电子亲和势光电阴极
    64.5.1 光电倍增管
    64.5.2 转移电子光电阴极
    第65章 光子牵引探测器
    光电子器件III:双稳态光学器件
    第66章 自电光效应器件
    第67章 双稳态标准具
    67.5.1 干扰滤波器
    光电子器件IV:其他器件
    第68章 太阳能电池
    第69章 电吸收调制器
    69.5.1 光波导
    69.5.2 电光调制器
    69.5.3 马赫-岑德尔调制器
    69.5.4 定向耦合器调制器
    传感器
    第70章 热敏电阻器
    70.5.1 电阻测温计
    70.5.2 热敏电阻辐射热测量计
    70.5.3 热电探测器
    第71章 霍尔器件
    71.5.1 磁敏电阻器
    71.5.2 磁敏二极管
    71.5.3 磁敏晶体管
    71.5.4 磁场敏感型场效应晶体管
    71.5.5 载流子畴磁场传感器
    71.5.6 磁致伸缩传感器
    第72章 应变计
    72.5.1 压电应变计
    第73章 叉指换能器
    第74章 离子敏感场效应晶体管
    74.5.1 酶场效应晶体管
    74.5.2 离子控制二极管
    74.5.3 半导体氧化物传感器
    74.5.4 催化金属传感器
    74.5.5 裸栅场效应晶体管
    74.5.6 吸附式场效应晶体管
    74.5.7 电荷流晶体管
    附录A 精选的非半导体器件
    A1 真空管
    A2 超导器件
    A3 电感器和变压器
    A4 液晶显示器
    A5 热电偶和热电堆
    A6 金属-绝缘体-金属二极管
    A7 单电子晶体管
    附录B 物理现象
    B1 漂移速度和迁移率
    B2 扩散
    B3 热电子发射
    B4 镜像力降低
    B5 复合和产生
    B6 碰撞电离和雪崩
    B7 空间电荷效应和空间电荷限制电流
    B8 隧穿
    B9 欧姆接触
    B10 霍尔效应
    B11 异质结、量子阱、超晶格和量子点
    附录C 各类器件的一般应用
    C1 整流器的应用
    C2 负微分电阻的应用
    C3 晶体管的应用
    C4 光电探测器的应用
    C5 双稳态光学器件的应用
    C6 半导体存储器
    附录D 物理性质
    D1 半导体的性质
    D2 Ge、Si和GaAs的性
    D3 SiO2和Si3N4的性质
    D4 电阻率和迁移率
    D5 本征浓度和费米能级
    D6 耗尽列线图解
    D7 吸收系数
    D8 硅氧化速率
    D9 离子注入范围和标准偏差
    D10 杂质扩散系数
    D11 杂质能级
    D12 固溶度
    D13 金属和硅化物的性质
    D14 能隙与晶格常数的关系
    附录E 基本信息
    E1 常用公式
    E2 缩略语
    E3 电磁波谱
    E4 元素周期表
    E5 元素符号
    E6 国际单位制(SI)
    E7 单位前缀
    E8 希腊字母
    E9 基本物理常数
    E10 符号表
    索引
    译后记
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